SiC UV-Photodioden
SiC UV-Photodioden

- aktive Flächen von 0,06 mm² bis 36 mm² und Quadrantenphotodioden zur Positionsbestimmung
- UV-Breitband-Empfindlichkeit oder mit Filtern wahlweise für UVA, UVB, UVC oder UV-Index
- verschiedene Eintrittsfenster und Gehäuseausführungen (TO oder SMD)
- eigene SiC Chipproduktion seit 2009
- PTB-veröffentlichte hohe Strahlungshärte
- Hochtemperatur-Variante bis 350°C erhältlich
- Photodioden Application Guide
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UV-Breitband (34)
Wellenlängenbereich 221 bis 358 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert. -
UVA (10)
Wellenlängenbereich 309 bis 367 nm, Peak-Wellenlänge 331 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert. -
UVB (8)
Wellenlängenbereich 231 bis 309 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert. -
UVC (20)
Wellenlängenbereich 225 bis 287 nm, Peak-Wellenlänge 275 nm, UVC - Photodioden nach DVGW W 294-3:2006 und ÖNORM M5873, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert. -
UV-Index (Erythem) (2)
für UV-Index Messungen nach ISO 17166, nur 5% Messunsicherheit = präzisester derzeit am Markt erhältlicher Detektor, teilweise mit Kosinuskorrektur.