SiC UV-Photodioden

SiC UV-Photodioden

aktive Flächen von 0,06 mm² bis 36 mm² und Quadrantenphotodioden zur Positionsbestimmung
UV-Breitband-Empfindlichkeit oder mit Filtern wahlweise für UVA, UVB, UVC oder UV-Index
verschiedene Eintrittsfenster und Gehäuseausführungen (TO oder SMD)
eigene SiC Chipproduktion seit 2009
auch erhältlich mit VUV-Empfindlichkeit
PTB-veröffentlichte hohe Strahlungshärte
Hochtemperatur-Variante bis 350°C erhältlich
Photodioden Application Guide

UV-Breitband (31)

Wellenlängenbereich 221 bis 358 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
UVA (10)

Wellenlängenbereich 309 bis 367 nm, Peak-Wellenlänge 331 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
UVB+UVC (9)

Wellenlängenbereich 231 bis 309 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
UVC (20)

Wellenlängenbereich 225 bis 287 nm, Peak-Wellenlänge 275 nm, UVC - Photodioden nach DVGW W 294-3:2006 und ÖNORM M5873 und DIN 19294, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
UV-Index (Erythem) (3)

für UV-Index Messungen nach ISO 17166, nur 5% Messunsicherheit = präzisester derzeit am Markt erhältlicher Detektor, teilweise mit Kosinuskorrektur.
UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (unter 200nm) (5)

Wellenlängenbereich 170 bis 355 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.

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What is the detector speed?

The detector risetime / falltime is calculated by that formula: tr/f = 2 Pi RC with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode. Example = a typical value of R is 50 Ohm and the C value for a SG01S photodiode is 15 pF. This calculates: with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode tr/f = 2Pi * 50 Ohm * 21 * 10-12 F = 6.59 * 10-9 s = 6.59 ns

What is the saturation of a photodiode?

The saturation current Isat of a photodiode is determined by its open circuit voltage VOC and its serial resistance RS following the formula: Isat = VOC / RS A typical value (SiC photodiode) for VOC is 2.0 V and for RS = 5 Ohm. This calculates: Isat = 2.0 V / 5 Ohm = 0.4 A = 400 mA. The saturation radiant intensity z calculates by the below formula: z = Isat / (S * A) Where S is the radiant sensitivity of a photodiode and A is the active area. A typical value for S is 0.13 A/W and A = 0.06 mm2 (valid for SG01S). This calculates: zsat = 0.4 A / (0.130 A/W * 6 * 10-8 m2 ) = 51.28 MW/m2 = 5.13 kW/cm2

What are typical rise and fall time of different UV photodiodes?

Capacitance C

t_r = 2Pi
RC
(R = 50 Ohm)

SG01S-18

15 pF

4.7 ns

SG01M-18

50 pF

15.7 ns

SG01L-5

250 pF

78.5 ns

Is your UVC photodiode compliant to DVGW W294 (2006)?

Yes, f1,Z is smaller than 0.25

What is the lowest pressure that the photodiode can withstand?

Our UV photodiodes are hermetically sealed and can be used under vaccum, theoretically down to 0 Pa.

When is a filtered UV photodiode needed?

Our four filtered versions of the UV photodiode lead to a tighter sensitivity range.

What is the power input of a Multiboard?

The current consumption of a Multiboard is between 4 mA and 20 mA, depending on the amount and type of operating voltage (uni / bipolar) as well as the load at the output (multimeter = no load).