UVA
Wellenlängenbereich 309 bis 367 nm, Peak-Wellenlänge 331 nm,
verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
Alle 10 Ergebnisse werden angezeigt
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SG01S-A18
UVA, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 273 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-A5
UVA, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 273 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-A18
UVA, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 910 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-A5
UVA, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 910 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A18
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,27 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A18ISO90
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A5
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-A18
UVA, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 4,6 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-A5
UVA, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 4,6 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01XL-A5
UVA, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 34 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
