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UV-Breitband

Wellenlängenbereich 221 bis 358 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm,
verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.

Ergebnisse 1 – 30 von 31 werden angezeigt

Rasteransicht Listenansicht
  • SG01S-18

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 25€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,06 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01S-18S

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 29€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,06 mm² Detektorfläche
    • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01S-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 31€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,06 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01S-18D

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 40€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,06 mm² Detektorfläche
    • mit Diffusor aufgebaut
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 100 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01S-5

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 29€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,06 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M-18

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M-18S

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M6H-18

    UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 60€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
  • SG01M-5

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2600 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M-5Lens

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
    • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • mit Konzentratorlinse
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 140 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01M6H-5

    UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 64€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
    • 0,20 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
  • SG01D-18

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-18S

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-18D

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 64€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • mit Diffusor aufgebaut
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 0,85 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-5

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-5Lens

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
    • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • mit Konzentratorlinse
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 350 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01D-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 55€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 0,50 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-18

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 105€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-18S

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 105€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 111€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-5

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 109€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 111€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-5Lens

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 LinsenkappeEinzelpreis: 123€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • nach EN298 (Flammenüberwachung)
    • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • mit Konzentratorlinse
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 700 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01L-SMD

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem FensterEinzelpreis: 109€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,00 mm² Detektorfläche
    • keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem Fenster
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01F-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,82 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 132€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 1,82 mm² Detektorfläche
    • speziell für Flammenüberwachung
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 1 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,4 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01XL-5

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 404€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 7,60 mm² Detektorfläche
    • TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 99 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01XL-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 404€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
    • 7,60 mm² Detektorfläche
    • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 99 nA
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
  • SG01Q-5

    UVA+UVB+UVC, Quadrantenphotodiode, aktive Fläche = 4 x 1,4 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 580€
    Produktbeschreibung
    • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC) Quadrantenphotodiode
    • 4 x 1,4 mm² Detektorfläche, 32 µm Pitch
    • entwickelt für Anwendungen von Laserstrahlbündeln, Autokollimatoren und anderen UV-Strahlpositionsanwendungen
    • TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit gemeinsamer Kathode
    • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 18 nA / Pixel
    • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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Romana Sonnenberg
Dipl.-Ing.

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Gabriel Hopfenmüller
Dipl.-Ing.

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Tilman Weiss
Dr.-Ing.

+49 (0) 30 53015211
Niklas Papathanasiou
Dr. rer. nat.

+49 (0) 30 53015211

Zubehör

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    • Messumformer (Stromverstärker) mit Ausgangsstrom von 4 – 20 mA
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    • maximaler Photostrom: 250 µA, 2,5 µA oder 25 nA
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    2-Kanal-Messumformer Photostrom auf Spannung 0 - 4 V, Messbereich durch Jumper von 400 nA bis 40 µA wählbar. Ideale Eignung als Experimentierplatine, wenn das Niveau des zu messenden Photostroms noch unbekannt ist. Universeller 2-Kanal MessverstärkerEinzelpreis: 99€Produktbeschreibung

    • universeller 2-Kanal Messverstärker
    • Messbereiche von 400 nA bis 40 µA
    • umfangreiche Konfiguration möglich
    • gut geeignet für experimentelle Aufbauten und Kleinserien
  • Digiboard

    Messumformer zur Wandlung von Photostrom in eine Spannung von 0 - 3 V und von Photostrom zu einer Frequenz. Der zusätzliche Schwellwertschalter mit einstellbarer Schaltschwelle und Hysterese erlaubt die Nutzung des Digiboards als einfache Controller-Einheit. Der Messbereich ist durch Jumper von 300 nA bis 30 µA einstellbar. Ein Potentiometer erlaubt den Abgleich der Platine auf einen bestimmten Spannungs-Ausgangswert. Der Frequenzaugang bietet einen hohen Dynamikbereich von 6 Dekaden.Universeller 2-Kanal Strom-/SpannungsverstärkerEinzelpreis: 149€Produktbeschreibung

    • universeller 2-Kanal Strom-/Spannungsverstärker
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  • SGCD4

    Das SGCD4 ist ein Digitalisierungsmodul für kleine Ströme. Es verfügt über vier am PC schaltbare Empfindlichkeitsbereiche und kann Ströme vom pA-Bereich bis hin zu 30 µA einfach und präzise erfassen. Das SGCD4 kann auch ohne messtechnische Vorkenntnisse benutzt werden. Die Lieferung erfolgt inkl. PTB-rückführbarer Kalibrierung.Digitalisierungsmodul für kleine Ströme, schaltbare Empfindlichkeitsbereiche, Stromerfassung vom pA-Bereich bis 30 µAEinzelpreis: 520€Produktbeschreibung

    • Digitalisierungsmodul zur einfachen und präzisen Erfassung kleine Ströme im pA … µA – Bereich, ideale Eignung zur Erfassung von Strömen aus Photodioden
    • Vier Dynamikstufen schaltbar
    • Nutzung auch ohne messtechnische Vorkenntnisse möglich
    • Lieferung inkl. PTB-rückführbarer Kalibrierung
    • Low-Noise-Kabel auf Anfrage lieferbar
  • RADIKON-simple

    Funktionsweise wie VOLTCON oder AMPCON (wählbar). Robustes geschirmtes Gehäuse mit BNC-Eingang.Verstärkerbox zur Umwandlung des Photostroms Einzelpreis: 155€Produktbeschreibung

    • Verstärkerbox zur Umwandlung des Photostroms einer Photodiode oder des sglux UV-Cure-HT Sensors
    • Signalausgang wählbar 0 – 5 V oder 4 – 20 mA
    • robustes geschirmtes Gehäuse mit BNC-Eingang
  • RADIKON

    Das RADIKON ist ein universeller Messwertaufnehmer mit einstellbaren Schaltpunkten und galvanisch getrennter Eingangsstufe. Mögliche Eingänge sind Photoströme (bis 5 µA), Spannungen (0 bis 10 V) oder Stromschleifen (4 bis 20 mA). Nach außen steht ein 0 - 10 V Ausgang und ein 230 V Relaiskontakt zur Verfügung.Universeller Industrie-Messwert-Controller zum SchaltschrankeinbauEinzelpreis: 390€Produktbeschreibung

    • Universeller Industrie-Messwert-Controller zum Schaltschrankeinbau
    • Einstellbare Schaltpunkte, Relaisausgang, Zustandsvisualisierung durch Vielfarb-LED
    • mögliche Eingänge: Photoströme 5 nA – 5 µA, 4 – 20 mA, 0 – 20 mA, 0 – x V (x konfigurierbar bis 10)
    • Hutschienenmontage
  • SENSOR MONITOR 5.0

    Mess- und Steuermodul zur Überwachung und Automatisierung von Bestrahlungsprozessen. Das Gerät bietet die Anzeige von Bestrahlungsstärke- und Dosisinformationen für bis zu zwei UV-Sensoren sowie drei programmierbare Relais zur Steuerung mehrstufiger Bestrahlungsprozesse.Mess- und Steuermodul zur Überwachung und Automatisierung von BestrahlungsprozessenEinzelpreis: 490€Produktbeschreibung

    • Mess- und Steuermodul zur Überwachung und Automatisierung von Bestrahlungsprozessen
    • Anzeige von Strahlungs-, Dosis- und Statusinformationen
    • drei programmierbare Relais zur Automatisierungs-Steuerung von ein- und mehrstufigen Bestrahlungsprozessen
    • optional mit zwei Messeingängen und USB/RS232-Ausgang
  • Photodiode Amplifier Dual

    Basiert auf dem Multiboard, robustes Gehäuse, ideale Eignung für wechselnde Laboraufbauten.Zwei-Kanal-PhotostromverstärkerEinzelpreis: 420€Produktbeschreibung

    • Zwei-Kanal-Photostromverstärker zur Wandlung kleiner Ströme in eine Spannung.
    • Wandlung von Photostrom in ein 0 … 5 V Ausgangssignal
    • maximaler Photostrom: 100 pA … 40 µA
    • für experimentelle Aufbauten in messtechnischen Laboratorien
  • Photodiode Amplifier Connect

    Basiert auf dem Digiboard, robustes Gehäuse, ideale Eignung für wechselnde Laboraufbauten.Photostromverstärker mit RelaisausgangEinzelpreis: 450€Produktbeschreibung

    • Photostromverstärker mit Relaisausgang zur Wandlung kleiner Ströme in eine Spannung.
    • Wandlung von Photostrom in ein 0 … 5 V Ausgangssignal
    • maximaler Photostrom: 100 pA … 40 µA
    • für experimentelle Aufbauten in messtechnischen Laboratorien

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What is the detector speed?
The detector risetime / falltime is calculated by that formula: tr/f = 2 Pi RC with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode. Example = a typical value of R is 50 Ohm and the C value for a SG01S photodiode is 15 pF. This calculates: with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode tr/f = 2Pi * 50 Ohm * 21 * 10-12 F = 6.59 * 10-9 s = 6.59 ns
What is the saturation of a photodiode?
The saturation current Isat of a photodiode is determined by its open circuit voltage VOC and its serial resistance RS following the formula: Isat = VOC / RS A typical value (SiC photodiode) for VOC is 2.0 V and for RS = 5 Ohm. This calculates: Isat = 2.0 V / 5 Ohm = 0.4 A = 400 mA. The saturation radiant intensity z calculates by the below formula: z = Isat / (S * A) Where S is the radiant sensitivity of a photodiode and A is the active area. A typical value for S is 0.13 A/W and A = 0.06 mm2 (valid for SG01S). This calculates: zsat = 0.4 A / (0.130 A/W * 6 * 10-8 m2 ) = 51.28 MW/m2 = 5.13 kW/cm2
What are typical rise and fall time of different UV photodiodes?

 

Capacitance C

tr = 2Pi
RC
(R = 50 Ohm)

SG01S-18

15 pF

4.7 ns

SG01M-18

50 pF

15.7 ns

SG01L-5

250 pF

78.5 ns

Is your UVC photodiode compliant to DVGW W294 (2006)?
Yes, f1,Z is smaller than 0.25
What is the lowest pressure that the photodiode can withstand?
Our UV photodiodes are hermetically sealed and can be used under vaccum, theoretically down to 0 Pa.
When is a filtered UV photodiode needed?
Our four filtered versions of the UV photodiode lead to a tighter sensitivity range.
What is the power input of a Multiboard?
The current consumption of a Multiboard is between 4 mA and 20 mA, depending on the amount and type of operating voltage (uni / bipolar) as well as the load at the output (multimeter = no load).

Messumformer für Photodioden
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