UV-Breitband

Wellenlängenbereich 221 bis 358 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm,
verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.

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SG01S-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 25€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01S-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 29€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 31€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01S-18D
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 40€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 123 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01S-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 29€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 60€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
SG01M-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M-5Lens
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
- hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- mit Konzentratorlinse
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 64€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
SG01D-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-18D
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 64€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 1 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-5Lens
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
- hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- mit Konzentratorlinse
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 52 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,50 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 105€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 105€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 111€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 109€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 111€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-5Lens
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 LinsenkappeEinzelpreis: 123€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- nach EN298 (Flammenüberwachung)
- hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- mit Konzentratorlinse
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 100 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem FensterEinzelpreis: 109€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,00 mm² Detektorfläche
- keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem Fenster
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,82 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 132€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 1,82 mm² Detektorfläche
- speziell für Flammenüberwachung
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 1 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01XL-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 404€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 122 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 404€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 7,60 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 122 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
SG01Q-5
UVA+UVB+UVC, Quadrantenphotodiode, aktive Fläche = 4 x 1,4 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 580€Produktbeschreibung
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC) Quadrantenphotodiode
- 4 x 1,4 mm² Detektorfläche, 32 µm Pitch
- entwickelt für Anwendungen von Laserstrahlbündeln, Autokollimatoren und anderen UV-Strahlpositionsanwendungen
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit gemeinsamer Kathode
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 22 nA / Pixel
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)