UV-Breitband

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  SG01S-18

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 25€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,06 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01S-18S

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 29€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,06 mm² Detektorfläche
  • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01S-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 31€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,06 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01S-18D

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 40€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,06 mm² Detektorfläche
  • mit Diffusor aufgebaut
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 100 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01S-5

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 29€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,06 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 780 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M-18

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M-18S

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M6H-18

  UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 60€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
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  SG01M-5

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2600 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M-5Lens

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
  • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • mit Konzentratorlinse
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 140 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01M6H-5

  UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 64€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
  • 0,20 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,6 µA
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  SG01D-18

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 49€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-18S

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-18D

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseEinzelpreis: 64€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • mit Diffusor aufgebaut
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 0,85 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-5

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 53€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-5Lens

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Einzelpreis: 67€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
  • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • mit Konzentratorlinse
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 350 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01D-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 55€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 0,50 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 6,5 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-18

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseEinzelpreis: 105€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-18S

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18 FlachkappeEinzelpreis: 105€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-Gehäuse isoliertEinzelpreis: 111€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-5

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 109€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 111€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-5Lens

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5 LinsenkappeEinzelpreis: 123€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • nach EN298 (Flammenüberwachung)
  • hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • mit Konzentratorlinse
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 700 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01L-SMD

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem FensterEinzelpreis: 109€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • keramisches 3535 SMD-Gehäuse mit anorganischem Fenster
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01F-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 1,82 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 132€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 1,82 mm² Detektorfläche
  • speziell für Flammenüberwachung
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 1 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,4 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01XL-5

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 404€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 7,60 mm² Detektorfläche
  • TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 99 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01XL-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5 Flachkappe isoliertEinzelpreis: 404€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
  • 7,60 mm² Detektorfläche
  • flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 99 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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  SG01Q-5

  UVA+UVB+UVC, Quadrantenphotodiode, aktive Fläche = 4 x 1,4 mm², TO5 FlachkappeEinzelpreis: 580€Produktbeschreibung
  • UV-Breitband (UVA+UVB+UVC) Quadrantenphotodiode
  • 4 x 1,4 mm² Detektorfläche, 32 µm Pitch
  • entwickelt für Anwendungen von Laserstrahlbündeln, Autokollimatoren und anderen UV-Strahlpositionsanwendungen
  • TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit gemeinsamer Kathode
  • 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 18 nA / Pixel
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)