SiC UV-Photodioden
Fotodiodos UV SiC

- área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
- sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
- variedad de ópticas y encapsulados (TO o SMD)
- producción propia del chip SiC desde 2009
- medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
- versión de alta temperatura disponible hasta 350°C
- Guía de aplicación de Fotodiodos UV SiC
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Banda ancha UV (34)
sensibilidad espectral desde 221 hasta 358 nm, longitud de onda pico 280 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente) -
UVA (10)
sensibilidad espectral desde 309 hasta 367 nm, longitud de onda pico 331 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente) -
UVB (8)
sensibilidad espectral desde 231 hasta 309 nm, longitud de onda pico 280 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente) -
UVC (20)
sensibilidad espectral desde 225 hasta 287 nm, longitud de onda pico 275 nm, según las normas DVGW W 294-3:2006 y OENORM M5873, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente) -
Índice UV (Eritémico) (3)
para medición del Índice UV según la norma ISO 17166, solamente 5% de error = actualmente el detector disponible más preciso, con corrección coseno