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SiC UV-Photodioden

Fotodiodos UV SiC

área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
variedad de ópticas y encapsulados
producción propia del chip SiC desde 2009
medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
Catálogo Fotodiodos UV SiC

Banda ancha UV (31)

sensibilidad espectral desde 221 hasta 358 nm, longitud de onda pico 280 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
UVA (10)

sensibilidad espectral desde 309 hasta 367 nm, longitud de onda pico 331 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
UVB (8)

sensibilidad espectral desde 231 hasta 309 nm, longitud de onda pico 280 nm, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
UVC (20)

sensibilidad espectral desde 225 hasta 287 nm, longitud de onda pico 275 nm, según las normas DVGW W294/3 y OENORM M5873, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
Índice UV (Eritémico) (2)

para medición del Índice UV según la norma ISO 17166, solamente 5% de error = actualmente el detector disponible más preciso, con corrección coseno