UVC
UVC
Wellenlängenbereich 225 bis 287 nm, Peak-Wellenlänge 275 nm,
UVC – Photodioden nach DVGW W 294-3:2006 und ÖNORM M5873 und DIN 19294, spezielle Ausführung zur Überwachung von 275nm UVC LED erhältlich, verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
Alle 22 Ergebnisse angezeigt
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SG01S-C18
UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-C18-LED
UVC Photodiode für 275 nm UVC LED Messungen, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC Photodiode für 275 nm LED Messungen
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 285 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-C18D
UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 116 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-C18ISO90
UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-C18ISO90D
UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 116 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-C5
UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-C18
UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-C18ISO90
UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-C5
UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-C5ISO90
UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-C5D
UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², mit Diffusor, TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 420 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C18
UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C18ISO90
UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C18D
UVC, aktive Fläche = 0,5 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,5 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 0,9 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C5ISO90
UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C5Lens
UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5 LinsenkappeProduktbeschreibung- UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- mit Konzentratorlinse
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 42 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-C5D
UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², mit Diffusor, TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 0,9 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-C18
UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-C5
UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-C5D
UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², mit Diffusor, TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01F-C5
UVC, aktive Fläche = 1,82 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 1,82 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 1 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01XL-C5
UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVC
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 275 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 120 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
