UVB+UVC
Wellenlängenbereich 231 bis 309 nm, Peak-Wellenlänge 280 nm,
verschiedene Gehäuseformen, nach aktiver Fläche (aufsteigend) sortiert.
Alle 9 Ergebnisse angezeigt
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SG01S-BC18
UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-BC18
UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3330 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-BC5
UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3330 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-BC18
UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-BC18ISO90
UVB+UVC, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-B5
UVB, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 310 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 1 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-BC18
UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 17 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-BC5
UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 17 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 122 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
