UVC
UVC
Sensibilité spectrale de 225 à 287 nm, longueur d’onde du pic 275 nm, photodiodes UVC selon DVGW W 294-3:2006 et ÖNORM M5873 et DIN 19294,
version spéciale disponible pour la surveillance de LED UVC 275nm, différentes structures, classés (dans l’ordre croissant) par surface active
22 résultats affichés
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SG01S-C18
UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-C18-LED
Photodiode UVC pour mesure LED UVC 275 nm, surface active = 0.06 mm², structure TO18Description du produit- Photodiode UVC pour mesure LED UVC 275 nm
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 285 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-C18D
UVC, surface active = 0.06 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.06 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 116 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-C18ISO90
UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-C18ISO90D
UVC, surface active = 0.06 mm², avec un diffuseur, structure TO18 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.06 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 116 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-C5
UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-C18
UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-C18ISO90
UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-C5
UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-C5ISO90
UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-C5D
UVC, surface active = 0.20 mm², avec un diffuseur, structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 420 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C18
UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C18ISO90
UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C18D
UVC, surface active = 0.5 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0. mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 0.9 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C5ISO90
UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 isoléeDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C5Lens
UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 à lentilleDescription du produit- UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 42 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-C5D
UVC, surface active = 0.50 mm², avec un diffuseur, structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 0.9 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-C18
UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18Description du produit- UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-C5
UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-C5D
UVC, surface active = 1.00 mm², avec un diffuseur, structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01F-C5
UVC, surface active = 1.82 mm², structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 1.82 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 1 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-C5
UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5Description du produit- UVC
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 275 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 120 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
