UVC
UVC
sensibilidad espectral desde 225 hasta 287 nm, longitud de onda pico 275 nm, según las normas DVGW W 294-3:2006 y OENORM M5873 y DIN 19294, versión especial disponible para monitorear 275nm UVC LED, diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
Mostrando los 22 resultados
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SG01S-C18
UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-C18-LED
Fotodiodo UVC para medición de LED UVC de 275 nm, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- Fotodiodo UVC para medición de LED UVC de 275 nm
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 285 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-C18D
UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 116 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-C18ISO90
UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-C18ISO90D
UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 116 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-C5
UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-C18
UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-C18ISO90
UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-C5
UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-C5ISO90
UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-C5D
UVC, área activa = 0.20 mm², con un difusor, encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 420 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C18
UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C18ISO90
UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C18D
UVC, área activa = 0.5 mm², con un difusor, encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.5 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 0.9 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C5ISO90
UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5, aisladoDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C5Lens
UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 con lenteDescripción del producto- UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- Con lente concentradora
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 42 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-C5D
UVC, área activa = 0.50 mm², con un difusor, encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 0.9 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-C18
UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-C5
UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-C5D
UVC, área activa = 1.00 mm², con un difusor, encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01F-C5
UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 1.82 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 1 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01XL-C5
UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVC
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 275 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 120 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
