Banda ancha UV

Mostrando 1–30 de 32 resultados

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  SG01S-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 Precio unitario: 27,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 31,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 33,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 42,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 123 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 31,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M6H-18

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
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  SG01M-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 69,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M6H-5

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
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  SG01D-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 59,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 69,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 52 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 111,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 con lentePrecio unitario: 125,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 100 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-SMD

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánicaPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánica
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01F-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.82 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01F-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.82 mm²
  • Adecuado para aplicaciones de detección de llama
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 406,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 406,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación