Banda ancha UV

Mostrando 1–30 de 31 resultados

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  SG01S-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 Precio unitario: 25€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 780 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 29€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 780 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 31€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 780 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 40€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 100 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 29€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 780 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 49€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2,6 µA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 53€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.6 µA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 55€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.6 µA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M6H-18

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 60€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.6 µA
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  SG01M-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 53€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2600 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 67€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora (área detectora virtual 11mm²)
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 140 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M6H-5

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 64€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.6 µA
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  SG01D-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 49€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 53€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 55€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 64€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 53€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 67€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora (área detectora virtual 27,5mm²)
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 350 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 55€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 105€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 105€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 111€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 109€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 111€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 con lentePrecio unitario: 123€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora (área detectora virtual 55mm²)
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 700 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-SMD

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánicaPrecio unitario: 109€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánica
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01F-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 132€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.82 mm²
  • Adecuado para aplicaciones de detección de llama
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.4 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 404€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 99 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 404€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 99 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01Q-5

  UVA+UVB+UVC, fotodiodo de cuadrante, área activa = 4 x 1.4 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 580€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC) fotodiodo de cuadrante
  • Área detectora 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, cátodo común
  • Diseñado para aplicaciones de ajuste rayo láser UV, autocolimadores y otras aplicaciones de detección de posición del haz UV
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 18 nA / pixel
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación