Large bande UV
Sensibilité spectrale de 221 à 358 nm, longueur d’onde du pic 280 nm, différentes structures,
classés (dans l’ordre croissant) suivant la surface active.
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SG01S-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18D
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 100 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 isolée Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- chip 6H SiC pour une sensibilité UVA accrue
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.6 µA
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SG01M-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2600 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 140 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- chip 6H SiC à sensibilité UVA étendue
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.6 µA
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SG01D-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active= 0.50 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18D
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,50 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 0.85 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 350 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active= 1.00 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 à lentille Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 700 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganiqueDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganique
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.82 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.82 mm²
- spécial pour la détection de flammes
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 1 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.4 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec un contact isolé et un contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 99 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 99 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01Q-5
UVA+UVB+UVC, quadrant photodiode, surface active = 4 x 1.4 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC) quadrant photodiode
- surface du détecteur 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
- conçu pour les applications d’ajustement du faisceau laser UV, autocollimateurs et d’autres applications de détection de position de faisceau d’UV
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 18 nA / pixel
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)