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Accueil / Produits / Large bande UV

Large bande UV

Sensibilité spectrale de 221 à 358 nm, longueur d’onde du pic 280 nm, différentes structures,
classés (dans l’ordre croissant) suivant la surface active.

Affichage de 1–30 sur 31 résultats

Vue en grille Vue en liste
  • SG01S-18

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², structure TO18Prix unitaire: 25€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.06 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01S-18S

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 courtePrix unitaire: 29€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.06 mm²
    • structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01S-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 isoléePrix unitaire: 31€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.06 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01S-18D

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², avec un diffuseur, structure TO18Prix unitaire: 40€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.06 mm²
    • utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 100 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01S-5

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO5 courtePrix unitaire: 29€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.06 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 780 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M-18

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Prix unitaire: 49€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M-18S

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 courte Prix unitaire: 53€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 isolée Prix unitaire: 55€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2,6 µA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M6H-18

    UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Prix unitaire: 60€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • chip 6H SiC pour une sensibilité UVA accrue
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.6 µA
  • SG01M-5

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courtePrix unitaire: 53€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2600 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M-5Lens

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Prix unitaire: 67€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
    • grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • avec lentille de concentration (surface virtuelle 11 mm²)
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 140 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01M6H-5

    UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courte Prix unitaire: 64€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • chip 6H SiC à sensibilité UVA étendue
    • surface du détecteur 0.20 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.6 µA
  • SG01D-18

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 Prix unitaire: 49€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-18S

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 courte Prix unitaire: 53€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active= 0.50 mm², structure TO18, isoléePrix unitaire: 55€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-18D

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0,50 mm², avec un diffuseur, structure TO18Prix unitaire: 64€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 0.85 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-5

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courtePrix unitaire: 53€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-5Lens

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Prix unitaire: 67€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
    • grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • avec lentille de concentration (surface virtuelle 27.5 mm²)
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 350 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01D-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courte, isoléePrix unitaire: 55€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 0.50 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 6.5 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-18

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 Prix unitaire: 105€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-18S

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 courtePrix unitaire: 105€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-18ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active= 1.00 mm², structure TO18, isoléePrix unitaire: 111€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-5

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte Prix unitaire: 109€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte, isoléePrix unitaire: 111€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-5Lens

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 à lentille Prix unitaire: 123€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • selon la norme EN298 (détection de flammes)
    • grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
    • avec lentille de concentration (surface virtuelle 55 mm²)
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 700 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01L-SMD

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganiquePrix unitaire: 109€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.00 mm²
    • paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganique
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01F-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 1.82 mm², structure TO5 courte, isoléePrix unitaire: 132€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 1.82 mm²
    • spécial pour la détection de flammes
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 1 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.4 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01XL-5

    UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 Prix unitaire: 404€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 7.60 mm²
    • structure TO5 encapsulée hermétiquement avec un contact isolé et un contact encapsulé
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 99 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01XL-5ISO90

    UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 courte, isoléePrix unitaire: 404€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC)
    • surface du détecteur 7.60 mm²
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 99 nA
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
  • SG01Q-5

    UVA+UVB+UVC, quadrant photodiode, surface active = 4 x 1.4 mm², structure TO5 courtePrix unitaire: 580€
    Description du produit
    • large bande UV (UVA+UVB+UVC) quadrant photodiode
    • surface du détecteur 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
    • conçu pour les applications d’ajustement du faisceau laser UV, autocollimateurs et d’autres applications de détection de position de faisceau d’UV
    • structure plate TO5 encapsulée hermétiquement
    • une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 18 nA / pixel
    • chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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Romana Sonnenberg
Dipl.-Ing.

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Gabriel Hopfenmüller
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Tilman Weiss
Dr.-Ing.

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Niklas Papathanasiou
Dr. rer. nat.

+49 (0) 30 53015211

Accessoires

  • VOLTCON

    accessoire photodiodes UV, convertisseur de mesure, amplificateur de tension, platineConvertisseur (amplificateur de tension) d’un photocourant en une tension de sortie 0 – 5 VPrix unitaire: 59€Description du produit

    • amplificateur de tension
    • conversion d’un photocourant en une tension de sortie 0 – 5 V
    • photocourant maximum: 500 µA, 5 µA ou 50 nA
  • AMPCON

    accessoire photodiodes UV, convertisseur de mesures, amplificateur de courant, platineConvertisseur (amplificateur de courant) avec courant de sortie 4 - 20 mAPrix unitaire: 59€Description du produit

    • convertisseur (amplificateur de courant) avec courant de sortie 4 – 20 mA
    • pour l’intégration de photodiodes dans un système de bus de données 4 – 20 mA conventionnel
    • photocourant maximum: 250 µA, 2.5 µA ou 25 nA
  • Multiboard (TW-MF2CAB)

    accessoire photodiodes UV, amplificateur de mesures, platine Amplificateur de mesures universel à 2 canauxPrix unitaire: 99€Description du produit

    • amplificateur de mesures universel à 2 canaux
    • grandes possibilités de configuration
    • amplification de courants de 400 nA à 400 µA
  • Digiboard

    accessoire photodiodes UV, amplificateur de mesures, platineAmplificateur universel de courant / tension à 2 canauxPrix unitaire: 149€Description du produit

    • amplificateur universel de courant / tension à 2 canaux
    • une sortie analogique et une sortie de fréquence
  • SGCD4

    The SGCD4 is a switchable gain photocurrent digitizer that converts small DC currents (e.g. generated by photodiodes) into digital values transmitted via USB to a computer for displaying and recording. Four different current measurement ranges are user selectable by software. The device is delivered with a PTB traceable current calibration.switchable gain photocurrent digitizer, converts small DC currents into digital values, different current measurement rangesPrix unitaire: 520€Description du produit

    • switchable gain photocurrent digitizer, converting small DC currents (e.g. generated by photodiodes) into digital values transmitted via USB to a computer for displaying and recording
    • four switchable gain levels
    • no specific previous metrological knowledge needed
    • delivered with a PTB traceable current calibration
    • low noise cable available on request
  • RADIKON-simple

    boîte d'alimentation, contrôleur des données de mesure, accessoire capteur UV UV-Cure-HTBoîte d’amplification pour la conversion de photocourantPrix unitaire: 155€Description du produit

    • boîte d’amplification pour la conversion de photocourant des photodiodes et des capteurs sglux UV-Cure-HT
    • signal de sortie 0 – 5 V ou 4 – 20 mA
  • RADIKON

    Contrôleur de données de mesures, accessoire photodiodes UV et sondes de mesures UVControleur de mesures industriel universel pour armoires électriquesPrix unitaire: 390€Description du produit

    • Controleur de mesures industriel universel pour armoires électriques
    • setpoints ajustables, sortie relais, visualisation de l’état par LED 4 couleurs
    • entrées possibles: photocourant 5nA – 5µA, 4 – 20mA, 0 – 20mA, 0 – xV (x konfigurierable jusqu’à 10)
    • montage rail DIN
  • SENSOR MONITOR 5.0

    Module de contrôle, affichage, mesure et pilotage, accessoire photodiodes UV et sondes de mesure UVModule de mesure et de contrôle pour la surveillance et l’automatisation de procédés d’irradiationPrix unitaire: 490€Description du produit

    • Module de mesure et de contrôle pour la surveillance et l’automatisation de procédés d’irradiation
    • Indication des informations sur le rayonnement, la dose et l’état
    • trois relais programmables pour le pilotage d’automatisations de procédés d’irradiation mono- ou multi-niveau
    • deux entrées de mesures et sortie USB/RS232 optionnelles
  • Photodiode Amplifier Dual

    accessoire Photodiodes UV, amplificateur de photocourantAmplificateur photocourant à deux canauxPrix unitaire: 420€Description du produit

    • amplificateur de photocourant à deux canaux pour la conversion de faibles courants en tension
    • conversion du photocourant en un signal de sortie 0 … 5 V
    • photocourant maximum: 100 pA … 40 µA
    • adapté aux installations expérmimentales dans les laboratoires de mesures
  • Photodiode Amplifier Connect

    accessoire photodiodes UV, amplificateur de photocourantAmplificateur de photocourant avec sortie relais intégréePrix unitaire: 450€Description du produit

    • amplificateur de photocourant avec sortie relais intégrée pour la conversion de faibles courants en tension
    • conversion du photocourant en un signal de sortie 0 … 5 V
    • photocourant maximum: 100 pA … 40 µA
    • adapté aux installations expérmimentales dans les laboratoires de mesures

FAQ

What is the detector speed?
The detector risetime / falltime is calculated by that formula: tr/f = 2 Pi RC with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode. Example = a typical value of R is 50 Ohm and the C value for a SG01S photodiode is 15 pF. This calculates: with R = internal resistance of the amplifier and C = capacitance of the photodiode tr/f = 2Pi * 50 Ohm * 21 * 10-12 F = 6.59 * 10-9 s = 6.59 ns
What is the saturation of a photodiode?
The saturation current Isat of a photodiode is determined by its open circuit voltage VOC and its serial resistance RS following the formula: Isat = VOC / RS A typical value (SiC photodiode) for VOC is 2.0 V and for RS = 5 Ohm. This calculates: Isat = 2.0 V / 5 Ohm = 0.4 A = 400 mA. The saturation radiant intensity z calculates by the below formula: z = Isat / (S * A) Where S is the radiant sensitivity of a photodiode and A is the active area. A typical value for S is 0.13 A/W and A = 0.06 mm2 (valid for SG01S). This calculates: zsat = 0.4 A / (0.130 A/W * 6 * 10-8 m2 ) = 51.28 MW/m2 = 5.13 kW/cm2
What are typical rise and fall time of different UV photodiodes?

 

Capacitance C

tr = 2Pi
RC
(R = 50 Ohm)

SG01S-18

15 pF

4.7 ns

SG01M-18

50 pF

15.7 ns

SG01L-5

250 pF

78.5 ns

Is your UVC photodiode compliant to DVGW W294 (2006)?
Yes, f1,Z is smaller than 0.25
What is the lowest pressure that the photodiode can withstand?
Our UV photodiodes are hermetically sealed and can be used under vaccum, theoretically down to 0 Pa.
When is a filtered UV photodiode needed?
Our four filtered versions of the UV photodiode lead to a tighter sensitivity range.
What is the power input of a Multiboard?
The current consumption of a Multiboard is between 4 mA and 20 mA, depending on the amount and type of operating voltage (uni / bipolar) as well as the load at the output (multimeter = no load).

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