UVB+UVC
sensibilidad espectral desde 231 hasta 309 nm, longitud de onda pico 280 nm,
diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
Mostrando los 9 resultados
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SG01S-BC18
UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-BC18
UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3330 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-BC5
UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3330 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-BC18
UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-BC18ISO90
UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18 aisladoDescripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-B5
UVB, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 310 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-BC18
UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-BC5
UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO05 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
