UVA
sensibilidad espectral desde 309 hasta 367 nm, longitud de onda pico 331 nm,
diferentes encapsulados, ordenados según área activa (ascendente)
Mostrando los 10 resultados
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SG01S-A18
UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-A5
UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-A18
UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-A5
UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A18
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.27 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A18ISO90
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A5
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-A18
UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-A5
UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01XL-A5
UVA, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 34 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
