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Startseite / Produkte / UV-Photodioden / UV-Index (Erythem) / SG01L-E5D

SG01L-E5D

  • UV-Erythem (UVI)
  • 1,00 mm² Detektorfläche
  • TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
  • mit Kosinuskorrektur für UV-Index Messungen nach ISO 17166, Messunsicherheit kleiner 5%
  • 1 UVI (2,5 µW/cm²) erzeugt einen Strom von ca. 1,3 nA
  • SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)

Einzelpreis: 160,00€

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Veröffentlichungen

2024 – UV-Strahlung messen ohne Filter – Siliziumcarbid (SiC) – Photodioden machen’s möglich
Dr. Niklas Papathanasiou, sglux GmbH, Berlin, Germany

Sensor Magazin 2/2024 (c) Magazin Verlag

Zusammenfassung
Das Berliner Unternehmen sglux GmbH produziert seit mehr als 20 Jahren Photodioden und Sensoren zur Messung von UV-Strahlung, wie sie in vielen Bereichen der industriellen Fertigung, der Medizintechnik, der Feuerungstechnik und zur Entkeimungsüberwachung zum Einsatz kommen. Die präzise Erfassung der ultravioletten Bestrahlungsstärke ist für eine kontrollierte und effiziente Funktionsweise von hoher Bedeutung. sglux löst diese Aufgaben mit SiC-basierten Photodioden, seit 2009 aus eigener Halbleiterproduktion. Bei der Detektion von UV-Strahlung sind SiC-Photodioden aufgrund ihrer hohen Bandlücke von 3.26 eV im Vorteil, da sie gegenüber sichtbarer und nah-infraroter Strahlung blind sind. Zudem weisen SiC-Photodioden sehr niedrige Dunkelströme auf, sodass auch kleinste Strahlungsmengen nachgewiesen werden können. Im Bereich der Messung starker UV-Strahlung punktet SiC mit seiner hohen Degradationsfestigkeit.

2023 – 4H-SiC PIN Photodiode for VUV Detection Using an Enhanced Emitter Doping Design
M. Schraml¹, N. Papathanasiou², A. May¹, M. Rommel¹, T. Erlbacher³
¹Fraunhofer IISB, Erlangen, Germany
²sglux GmbH, Berlin, Germany
³Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Erlangen, Germany

2023 IEEE Photonics Conference (IPC) 12. – 16.11.2023

4H-SiC PIN Photodiode for VUV Detection Using an Enhanced Emitter Doping Desig

Zusammenfassung
The fabrication of a novel Vacuum UV (VUV) sensitive 4H-SiC pin photodiode is presented. Aluminum ion implantation was used to fabricate a patterned emitter structure with p – and p + regions resulting in the highest reported VUV sensitivity for a SiC pin photodiode.

2021 – How two sglux photodiodes contribute to the NASA 2021 Perseverance mission
Luther W. Beegle et al.
Space Sci Rev (2021) 217:58

Perseverance’s Scanning Habitable Environments with Raman and Luminescence for Organics and Chemicals (SHERLOC) Investigation

Zusammenfassung
The Scanning Habitable Environments with Raman and Luminescence for Organics and Chemicals (SHERLOC) is a robotic arm-mounted instrument on NASA’s Perseverance rover. SHERLOC has two primary boresights. The Spectroscopy boresight generates spatially resolved chemical maps using fluorescence and Raman spectroscopy coupled to microscopic images (10.1 μm/pixel). The second boresight is a Wide Angle Topographic Sensor for Operations and eNgineering (WATSON); a copy of the Mars Science Labora- tory (MSL) Mars Hand Lens Imager (MAHLI) that obtains color images from microscopic scales (∼13 μm/pixel) to infinity. SHERLOC Spectroscopy focuses a 40 μs pulsed deep UV neon-copper laser (248.6 nm), to a ∼100 μm spot on a target at a working distance of ∼48 mm. Fluorescence emissions from organics, and Raman scattered photons from organics and minerals, are spectrally resolved with a single diffractive grating spectrograph with a spectral range of 250 to ∼370 nm. Because the fluorescence and Raman regions are natu- rally separated with deep UV excitation (<250 nm), the Raman region ∼ 800 – 4000 cm−1 (250 to 273 nm) and the fluorescence region (274 to ∼370 nm) are acquired simultaneously without time gating or additional mechanisms. SHERLOC science begins by using an Aut- ofocus Context Imager (ACI) to obtain target focus and acquire 10.1 μm/pixel greyscale images. Chemical maps of organic and mineral signatures are acquired by the orchestration of an internal scanning mirror that moves the focused laser spot across discrete points on the target surface where spectra are captured on the spectrometer detector. ACI images and chemical maps (< 100 μm/mapping pixel) will enable the first Mars in situ view of the spa- tial distribution and interaction between organics, minerals, and chemicals important to the assessment of potential biogenicity (containing CHNOPS). Single robotic arm placement chemical maps can cover areas up to 7×7 mm in area and, with the < 10 min acquisition time per map, larger mosaics are possible with arm movements. This microscopic view of the organic geochemistry of a target at the Perseverance field site, when combined with the other instruments, such as Mastcam-Z, PIXL, and SuperCam, will enable unprecedented analysis of geological materials for both scientific research and determination of which sam- ples to collect and cache for Mars sample return.

2020 – Inter-Comparison Campaign of Solar UVR Instruments under Clear Sky Conditions at Reunion Island (21°S, 55°E)
Jean-Maurice Cadet¹, Thierry Portafaix¹, Hassan Bencherif¹², Kévin Lamy¹, Colette Brogniez³, Frédérique Auriol³, Jean-Marc Metzger⁴, Louis-Etienne Boudreault⁵, Caradee Yael Wright⁶⁷
¹LACy, Laboratoire de l’Atmosphère et des Cyclones (UMR 8105 CNRS, Université de La Réunion, Météo-France), 97744 Saint-Denis de La Réunion, France.
²School of Chemistry and Physics, University of KwaZulu-Natal, Durban 4041, South Africa.
³Laboratoire d’Optique Atmosphérique, Université Lille, CNRS, UMR 8518, F-59000 Lille, France.
⁴Observatoire des Sciences de l’Univers de la Réunion, UMS 3365, 97744 Saint-Denis de la Réunion, France.
⁵Reuniwatt, 97490 Sainte Clotilde de la réunion, France.
⁶Department of Geography, Geo-informatics and Meteorology, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa.
⁷Environment and Health Research Unit, South African Medical Research Council, Pretoria 0001, South Africa.

Int J Environ Res Public Health. 2020 Apr 21;17(8):2867. doi: 10.3390/ijerph17082867

Zusammenfassung
Measurement of solar ultraviolet radiation (UVR) is important for the assessment of potential beneficial and adverse impacts on the biosphere, plants, animals, and humans. Excess solar UVR exposure in humans is associated with skin carcinogenesis and immunosuppression. Several factors influence solar UVR at the Earth’s surface, such as latitude and cloud cover. Given the potential risks from solar UVR there is a need to measure solar UVR at different locations using effective instrumentation. Various instruments are available to measure solar UVR, but some are expensive and others are not portable, both restrictive variables for exposure assessments. Here, we compared solar UVR sensors commercialized at low or moderate cost to assess their performance and quality of measurements against a high-grade Bentham spectrometer. The inter-comparison campaign took place between March 2018 and February 2019 at Saint-Denis, La Réunion. Instruments evaluated included a Kipp&Zonen UVS-E-T radiometer, a Solar Light UV-Biometer, a SGLux UV-Cosine radiometer, and a Davis radiometer. Cloud fraction was considered using a SkyCamVision all-sky camera and the Tropospheric Ultraviolet Visible radiative transfer model was used to model clear-sky conditions. Overall, there was good reliability between the instruments over time, except for the Davis radiometer, which showed dependence on solar zenith angle. The Solar Light UV-Biometer and the Kipp&Zonen radiometer gave satisfactory results, while the low-cost SGLux radiometer performed better in clear sky conditions. Future studies should investigate temporal drift and stability over time.

2019 – UV degradation anaylsis of SiC and AlGaN based UV photodiodes
Dr. Niklas Papathanasiou, sglux GmbH, Berlin, Germany

SiC AlGaN Aging Report

Zusammenfassung
SiC and AlGaN based UV photodiodes had been irradiated by Hg medium pressure lamps for 90 hours and a UV irradiation intensity of 60mW/cm². The SiC photodiodes showed no measurable degradation whereas the AlGaN photodiodes lost 80 % – 85 % of sensitivity.

2017 – UV Index monitoring in Europe
Alois W. Schmalwieser¹, Julian Gröbner², Mario Blumthaler³, Barbara Klotz³, Hugo De Backer⁴, David Bolsée⁵, Rolf Werner⁶, Davor Tomsic⁷, Ladislav Metelka⁸, Paul Eriksen⁹, Nis Jepsen⁹, Margit Aun¹⁰, Anu Heikkilä¹¹, Thierry Duprat¹², Henner Sandmann¹³, Tilman Weiss¹⁴, Alkis Bais¹⁵, Zoltan Toth¹⁶, Anna-Maria Siani¹⁷, Luisa Vaccaro¹⁸, Henri Diémoz¹⁹, Daniele Grifoni²⁰, Gaetano Zipoli²¹, Giuseppe Lorenzetto²², Boyan H. Petkov²³, Alcide Giorgio di Sarra²⁴, Francis Massen²⁵, Charles Yousif²⁶, Alexandr A. Aculinin²⁷, Peter den Outer²⁸, Tove Svendby²⁹, Arne Dahlback³⁰, Bjørn Johnsen³¹, Julita Biszczuk-Jakubowska³², Janusz Krzyscin³³, Diamantino Henriques³⁴, Natalia Chubarova³⁵, Predrag Kolarž³⁶, Zoran Mijatovic³⁷, Drago Groselj³⁸, Anna Pribullova³⁹, Juan Ramon Moreta Gonzales⁴⁰, Julia Bilbao⁴¹, José Manuel Vilaplana Guerrero⁴², Antonio Serrano⁴³, Sandra Andersson⁴⁴, Laurent Vuilleumier⁴⁵, Ann Webb⁴⁶, and John O’Hagan⁴⁷,

¹University of Veterinary Medicine, Unit of Physiology and Biophysics, Vienna, Austria, ²PMOD/WRC, Davos Dorf, Switzerland, ³Medical Univ. Innsbruck, Innsbruck, Austria, ⁴Royal Meteorological Institute of Belgium, Observations, Brussels, Belgium, ⁵Royal Belgian Institute for Space Aeronomy, Brussels, Belgium, ⁶Bulgarian Academy of Sciences, Stara Zagora, Bulgaria, ⁷Metorological and hydrological institute of Croatia, Metorological and hydrological institute of Croati, Croatia, ⁸Czech Hydrometeorological Institute, Solar and Ozone Department, Hradec Kralove, Czech Republic, ⁹Danish Meteorological Institute, Copenhagen, Denmark, ¹⁰Tartu Observatory, Tartumaa, Estonia, ¹¹Finnish Meteorological Institute, Helsinki, Finland, ¹²Météo-France, Toulouse Cedex, France, ¹³Bundesamt fur Strahlenschutz Neuherberg, Section for Optical Radiation, Neuherberg, Germany, ¹⁴sglux GmbH, Berlin, Germany, ¹⁵Aristotle University of Thessaloniki, Greece, ¹⁶Hungarian Meteorological Service, Marczell György Main Observatory, Budapest, Hungary, ¹⁷Sapienza Universita’ di Roma, Physics Department, Rome, Italy, ¹⁸ISPRA, Physical Agents Unit, Rome, Italy, ¹⁹ARPA Valle d’Aosta loc, Saint-Christophe, Italy, ²⁰LaMMA Consortium, Institute of Biometeorology of the National Research Council, Sesto Fiorentino, Italy, ²¹CNR-IBIMET, Florence, Italy, ²²ARPA di Vicenza, Vicenza, Italy, ²³National Research Council, Institute of Atmospheric Sciences and Climate, Bologna, Italy, ²⁴ENEA, Laboratory for Observations and Analyses of the Earth and Climate, Rome, Italy, ²⁵Lycée Classique de Diekirch, Computarium and meteoLCD, Diekirch, Luxembourg, ²⁶University of Malta, Institute for Sustainable Energy, Marsaxlokk, Malta, ²⁷Institute of Applied Physics of the Academy of Sciences of Moldova, Kishinev, Moldova (the Republic of), ²⁸Dutch National Health Institute (RIVM), Netherlands, ²⁹NILU – Norwegian Institute for Air Research, Kjeller, Norway, ³⁰University of Oslo, Institute of Physics, Oslo, Norway, ³¹Statens Stralevern, Monitoring and Research, Oesteras, Norway, ³²Institute of Meteorology and Water Management, Gdynia, Poland, ³³Institute of Geophysics, Polish Academy of Sciences, Warszw, Poland, ³⁴Instituto Português do Mar e da Atmosfera, Observatório Afonso Chaves, Ponta Delgada S. Miguel, Portugal, ³⁵Moscow State University, Moscow, Russian Federation, ³⁶University of Belgrade, Zemun, Serbia, ³⁷University of Novi Sad, Novi Sad, Serbia, ³⁸Slovenian Environment Agency, Ljubljana, Slovenia, ³⁹Slovakian Academy of Sciences, Tatranska Lomnica, Slovakia, ⁴⁰Spanish Meteorological Agency, Area of Atmospheric Observation Networks, Madrid, Spain, ⁴¹University of Valladolid, Valladolid, Spain, ⁴²National Institute for Aerospace Technology, Mazagon, Spain, ⁴³University of Extremadura, Department of Physics, Badajoz, Spain, ⁴⁴SMHI, Norköpping, Sweden, ⁴⁵MeteoSwiss, Atmospheric data division, Payerne, Switzerland, ⁴⁶University of Manchester, Manchester, United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland, ⁴⁷Public Health England Centre for Radiation Chemical and Environmental Hazards, Radiation Dosimetry, Didcot, United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland

Journal: Photochemical & Photobiological Sciences, Publisher: The Royal Society of Chemistry.

Abstract
The UV Index was established more than 20 years ago as a tool for sun protection and health care. Shortly after its introduction, UV Index monitoring started in several countries either by newly acquired instruments or by converting measurements from existing instruments into the UV Index. The number of stations and networks has increased over the years. Currently, 160 stations in 25 European countries deliver online values to the public via the Internet. In this paper an overview of these UV Index monitoring sites in Europe is given. The overview includes instruments as well as quality assurance and quality control procedures. Furthermore, some examples are given about how UV Index values are presented to the public. Through these efforts, 57% of the European population is supplied with high quality information, enabling them to adapt behaviour. Although health care, including skin cancer prevention, is cost-effective, a proportion of the European population still doesn’t have access to UV Index information.
2012 – Highly reliable Silicon Carbide photodiodes for visible-blind ultraviolet detector applications
D. Prasai¹, W. John¹, L. Weixelbaum¹, O. Krueger¹, G. Wagner², P. Sperfeld³, S. Nowy³, D. Friedrich³, S. Winter³ and T. Weiss⁴,
¹Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany, ²Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany, ³Physikalisch-Technische Bundesanstalt Braunschweig und Berlin (PTB), 4.1 Photometry and Applied Radiometry, Braunschweig, Germany, ⁴sglux GmbH, Berlin, Germany

J. Mater. Res., first view (2012).

Abstract
Highly efficient polytype 4H silicon carbide (4H-SiC) p–n diodes for ultraviolet (UV) light detection have been fabricated, characterized, and exposed to high-intensity mercury lamp irradiation (up to 17 mW/cm²). The behavior of the photocurrent response under UV light irradiation using a low-pressure mercury UV-C lamp (4 mW/cm²) and a medium-pressure mercury discharge lamp (17 mW/cm²) has been studied. We report on long-term UV photoaging tests performed for up to 22 mo. Results demonstrate the robustness of SiC photodiodes against UV radiation. The devices under test showed an initial burn-in effect, i.e., the photocurrent response dropped by less than 5% within the first 40 h of artificial UV aging. Such burn-in effect under UV stress was also observed for previously available polytype 6H silicon carbide (6H–SiC) p–n photodetectors. After burn-in, no measurable degradation has been detected, which makes the devices excellent candidates for high irradiance UV detector applications.
2011 – Characterisation of SiC photodiodes for high irradiance UV radiometers
S. Nowy¹, B. Barton¹, S. Pape¹, P. Sperfeld¹, D. Friedrich¹, S. Winter¹, G. Hopfenmueller², and T. Weiss²,
¹Physikalisch-Technische Bundesanstalt Braunschweig und Berlin (PTB), 4.1 Photometry and Applied Radiometry, Braunschweig, Germany, ²sglux GmbH, Berlin, Germany

Proceedings of NEWRAD2011, edited by S. Park and E. Ikonen. (Aalto University, Espoo, Finland, 2011) p. 203.

Abstract
For monitoring high UV irradiance, silicon carbide (SiC) based photodiodes are used. In this paper we describe the characterization of the novel SiC UV photodiodes in terms of their spectral and integral responsivity. Special attention is paid to the aging behavior of the photodiodes due to high UV irradiance. Artificial aging of the samples is performed by illumination with a high power medium pressure mercury discharge lamp.

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UV-Photodioden FAQ

Warum gibt es Photodioden mit unterschiedlichen aktiven Chipflächen?
Zusammenfassung:
Eine Verringerung der Bestrahlungsstärke erfordert eine Vergrößerung der aktiven Chipfläche. Wenn die zu messende Bestrahlungsstärke nicht bekannt ist, sollte für Prototypen eine L-Chip-Photodiode verwendet werden.
Ausführliche Antwort:
Die aktive Fläche des Chips bestimmt, wie viele Photonen von einem Photodetektor aufgefangen werden können. Halbleiterdetektoren, wie SiC-UV-Photodioden, wandeln Photonen in einen elektrischen Strom, den Photostrom I, um. Dieser Photostrom nimmt linear mit der Bestrahlungsstärke und der aktiven Fläche des Chips zu. Da der Preis des Detektors mit der aktiven Fläche steigt, ist die Wahl der Fläche im Wesentlichen ein Kompromiss zwischen Kosten und Photostrom. Wenn Sie die minimale und maximale Bestrahlungsstärke kennen, die Sie mit der UV-Photodiode messen möchten, können Sie mit der folgenden vereinfachten Formel den Photostrom I für eine bestimmte aktive Chipfläche AChip grob abschätzen. I=Achip *Eλ *1000 wobei I der Photostrom in nA, A die aktive Chipfläche in mm² ist (Geben Sie hier Werte von 0,06 oder 0,2 oder 0,5 oder 1 oder 1,82, oder 7,6 oder 36 ein.) und Eλ die spektrale Bestrahlungsstärke der UV-Lichtquelle, die Sie messen möchten, in mW/cm² ist. Der Mindest-Photostrom (Photodiodenausgang bei der niedrigsten zu messenden Bestrahlungsstärke) sollte nicht unter 500pA liegen. Wenn Sie Eλ nicht kennen, sollten Sie in einem ersten Schritt die Photodiode vom Typ L-Chip (1,00 mm²) verwenden.
Wann nutze ich eine Breitband-Photodiode und wann benötige ich gefilterte Photodioden für UVA, UVB, UVC oder UV-Index?
Zusammenfassung:
Für UV-Messungen wird standardmäßig eine ungefilterte Breitband-SiC Photodiode verwendet.
Ausführliche Antwort:

Für UV-Messungen wird standardmäßig eine ungefilterte Breitband-SiC Photodiode verwendet. Wenn eine UV-Quelle auch Strahlung emittiert, die nicht zum Signal des Sensors beitragen darf (z. B. UV-Mitteldrucklampen, die zur Wasser- oder Luftreinigung verwendet werden und auch nicht-keimtötende UV-Strahlung emittieren), sollte ein gefilterter SiC-Detektor (UVC, UVB+C oder nur UVA) gewählt werden.
Welche Photodiode nutze ich für 185nm und 172nm?
Zusammenfassung:
Hier werden unsere SiC-VUV-Photodioden verwendet.
Ausführliche Antwort:

Unsere Standard SiC-Photodioden haben unterhalb von 220nm nur noch eine geringe Empfindlichkeit. Unter ca. 200nm haben sie keine Empfindlichkeit mehr. Für Anwendungen, bei denen Strahlung unterhalb von 220nm zu messen ist, kommen unsere VUV („vaccum UV“) - Photodioden zum Einsatz. Typische Anwendungsgebiete ist die Zerstörung organischer Kohlenstoffe in Fett oder im Wasser (TOC) bei 185nm oder die Mattierung von Lacken bei 172nm. Auch bei der Überwachung der PFAS Photolyse kommen die VUV-Photodioden zum Einsatz.
Stellen Sie SMD-Photodioden her?
Zusammenfassung:
Ja, aber wir raten von ihrer Verwendung ab.
Ausführliche Antwort:
Ja, wir stellen 3535 SMD-Photodioden (Keramikgehäuse) her, empfehlen aber die Verwendung von Metall-TO-Photodioden. Das Einhäusen und hermetische Versiegeln von Photodioden-Chips in Metall-TO-Gehäusen mit einem Schmelzglasfenster ist ein ausgereiftes und äußerst zuverlässiges Verfahren, das seit mehr als 50 Jahren eingesetzt wird. Eine in einem TO-Gehäuse untergebrachte sglux-SiC-UV-Photodiode ist in der Regel die zuverlässigste und langlebigste Komponente in einem Produkt, selbst wenn sie sehr starker UV-Strahlung ausgesetzt ist oder bei hohen Temperaturen betrieben wird. Die jüngsten Fortschritte bei der Entwicklung von langlebigen UV-LEDs, auch im UVC-Bereich, ermöglichen es jedoch, UV-Niederdruckröhren durch LEDs zu ersetzen, was zu einer erheblichen Reduzierung der Produktabmessungen führen kann. Die Miniaturisierung von Produkten wie UV-Transmissionsmessmodulen oder LED-UVC-Desinfektionsmodulen für den Einsatz am Ort des Geschehens ermöglicht es unseren Kunden, in neue Anwendungsbereiche vorzudringen. Manchmal werden unsere UV-Photodioden im TO-Gehäuse als zu groß angesehen. Unsere SiC SMD-Photodiodenreihe ist für diese Anwendungen konzipiert. Das Gehäuse besteht aus einem Keramikkörper mit einem mineralischen Fensterglas, um diese SMD-Photodioden so zuverlässig wie möglich zu machen. Dennoch sind TO-Photodioden in Bezug auf Haltbarkeit, Zuverlässigkeit und Preis nach wie vor die beste Wahl.
Sie stellen Photodioden mit 2 Pins und mit 3 Pins her. Wozu ist der dritte Pin gut?
Zusammenfassung:
Standardmäßig werden 2-polige Photodioden verwendet.
Ausführliche Antwort:

Standardmäßig werden 2-polige Photodioden verwendet. Ein Pin ist mit dem Metallkörper der Photodiode und der Anode verbunden. Der andere Pin ist isoliert und mit der Kathode verbunden. Eine 3-Pin-Photodiode ist durch zwei isolierte Pins (verbunden mit der Anode und der Kathode) und einen mit dem Metallgehäuse verbundenen Pins gekennzeichnet. Die 3-Pin-Photodiode wird verwendet, wenn das Photodiodengehäuse mit Metallteilen des Kundenprodukts in Kontakt ist.
Wie groß ist die Antwortzeit einer SiC-Photodiode?
Zusammenfassung:
Die Antwortzeit beträgt etwa 190ps (FWHM).
Ausführliche Antwort:

Im Helmholtz-Zentrum Berlin wurden Untersuchungen zur Pulsanregung mit 266 nm fs- Laserpulsen durchgeführt. Die Antwortzeit von den vermessenen SiC-Dioden ist durch eine Zerfallskonstante von 7 ns bei 0 V BIAS-Spannung bestimmt. Bei maximaler BIAS-Spannung von -160 V konvergiert diese in einem exponentiellen Zusammenhang gegen 3.5 ns. Die Anstiegszeit konnte mit dem zur Verfügung stehenden Aufbau nicht genau vermessen werden, ist aber schneller als 80 ps (sigma), also ca. 190 ps (FWHM).
Wie sieht es mit der Sättigung der Fotodioden aus?
Zusammenfassung:
Eine Photodiode vom Typ S-Chip erreicht ihre Sättigung bei etwa 4,2 kW/cm². Eine so hohe Bestrahlungsstärke ist sehr ungewöhnlich.
Ausführliche Antwort:

Der Sättigungsstrom Isat einer Photodiode wird durch ihre Leerlaufspannung VOC und ihren Serienwiderstand RS nach der folgenden Formel bestimmt: Isat = VOC / RS Ein typischer Wert ( SiC-Photodiode) für VOC ist 2,0 V und für RS = 5 Ohm. Daraus ergibt sich Isat = 2,0 V / 5 Ohm = 0,4 A = 400 mA. Die Sättigungsstrahlungsintensität z wird nach der folgenden Formel berechnet: z = Isat / (S * A) Dabei ist S die Empfindlichkeit einer Photodiode und A ist die aktive Fläche. Ein typischer Wert für S ist 0,16 A/W und A = 0,06 mm² (gültig für SG01S). Dies ergibt: zsat = 0,4 A / (0,160 A/W * 6 * 10-8 m²) = ca. 42 MW/m² = 4,2 kW/cm². Eine so hohe Bestrahlungsstärke ist sehr ungewöhnlich. Einige Lasermessanwendungen können jedoch für kurze Zeit solche Bestrahlungsstärken erreichen. Dies kann sich auf den Ausgangsstrom der Photodiode auswirken. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Ist die Photodiode wasserdicht?
Zusammenfassung:
Ja.
Ausführliche Antwort:

Ja, die Photodiode ist hermetisch versiegelt und dementsprechend druckwasserdicht. Allerdings dürfen die rückseitigen Kontaktstifte nicht mit Wasser oder Feuchtigkeit in Berührung kommen. Dies würde den Ausgangsstrom der Fotodiode beeinflussen.
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