SiC UV-Photodioden
UV-Photodioden
- aktive Flächen von 0,06 mm² bis 36 mm² und Quadrantenphotodioden zur Positionsbestimmung
- UV-Breitband-Empfindlichkeit oder mit Filtern wahlweise für UVA, UVB, UVC oder UV-Index
- verschiedene Eintrittsfenster und Gehäuseausführungen (TO oder SMD)
- eigene SiC Chipproduktion seit 2009
- auch erhältlich mit VUV-Empfindlichkeit
- PTB-veröffentlichte hohe Strahlungshärte
- Hochtemperatur-Variante bis 350°C erhältlich
- Photodioden Application Guide
Alle Photodioden befinden sich stets auf Lager. Der Vertrieb erfolgt über unseren Shop oder Ihre Bestellung an welcome@sglux.de. Gerne erstellen wir auch ein Angebot oder Sie nutzen den automatischen Angebots-Generator unseres Shops (beim Checkout statt “KASSE” die Option “ANGEBOT” wählen).
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SG01L-BC18
UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 17 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-BC5
UVB+UVC, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 17 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVB+UVC
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 122 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-A18
UVA, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 273 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-A5
UVA, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 273 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-A18
UVA, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 910 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-A5
UVA, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 910 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A18
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,27 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A18ISO90
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01D-A5
UVA, aktive Fläche = 0,50 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 0,50 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 2,3 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-A18
UVA, aktive Fläche = 1,00 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 4,6 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01L-A5
UVA, aktive Fläche = 1,00 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 1,00 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 4,6 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01XL-A5
UVA, aktive Fläche = 7,60 mm², TO5-GehäuseProduktbeschreibung- UVA
- 7,60 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 331 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 34 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-18D
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², mit Diffusor, TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- mit Diffusor aufgebaut
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 123 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01S-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,06 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,06 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 960 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG03R05-5
UVA+UVB+UVC+VUV, aktive Fläche 0,5 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (UVA+UVB+UVC+VUV)
- 0,5 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 8 µA
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SG03R10-5
UVA+UVB+UVC+VUV, aktive Fläche 1,0 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (UVA+UVB+UVC+VUV)
- 1,0 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
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SG03R20-5
UVA+UVB+UVC+VUV, aktive Fläche 2,0 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (UVA+UVB+UVC+VUV)
- 2,0 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 32 nA
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SG03R80-5
UVA+UVB+UVC+VUV, aktive Fläche 8,0 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (UVA+UVB+UVC+VUV)
- 8,0 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 1 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 13 nA
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SG03R01-5
UVA+UVB+UVC+VUV, aktive Fläche 0,1 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband mit VUV-Empfindlichkeit (UVA+UVB+UVC+VUV)
- 0,1 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 1600 nA
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SG01M-18
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-18S
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-Gehäuse isoliertProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO18-GehäuseProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO18-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
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SG01M-5
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin, mit weitem Öffnungswinkel
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M-5Lens
UVA+UVB+UVC, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 Linsenkappe, nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)Produktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- nach EN298 (Flammenüberwachung, auch H2-Brenner)
- hohes TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- mit Konzentratorlinse
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei 280 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 16 nA
- SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
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SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC, 6H SiC Chip, aktive Fläche = 0,20 mm², TO5 FlachkappeProduktbeschreibung- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC)
- 6H SiC Chip mit erweiterter UVA Empfindlichkeit
- 0,20 mm² Detektorfläche
- flaches TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei 290 nm (Peak-Empfindlichkeit) erzeugt einen Strom von ca. 3200 nA