Im Rahmen des BMBF KMU Innovativ Projekts SiC4Flame – FZK02P22K030 – hat sglux gemeinsam mit dem Fraunhofer IISB Erlangen die ersten SiC Avalanche Photodioden (APDs) auf 150 mm Wafern produziert. In enger Zusammenarbeit mit dem Team vom Fraunhofer IISB hat sglux‘ Doktorand Felix Beier einen produktionstauglichen Prozess für SiC-APDs mit einer SACM-Bauelement-Struktur entwickelt. Die SiC-APDs mit Durchmessern von 100 µm, 200 µm, 300 µm und 500 µm haben eine Durchbruchspannung von etwa Vbr=162,5 V und weisen eine Verstärkung m = 100 bei 95% der Durchbruchspannung V95% auf. Der Dunkelstrom bei V95% liegt unterhalb von 0,2 nA/mm². Damit weisen SiC-APDs deutlich bessere Werte als Si-basierte APDs auf und sind zudem unempfindlich gegenüber sichtbarer Strahlung. Sprechen Sie uns gerne auf Muster für Ihre Anwendung an.
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