SiC UV-Photodioden
Photodiodes UV
- Surface active de 0.06 mm² à 36 mm² et quadrant photodiodes pour la détermination de position
- Sensibilité à large bande UV ou avec filtre optionel pour les UVA, UVB, UVC ou indice UV
- Différentes fenêtres d’entrée et structures (TO ou SMD)
- Notre propre production de chips SiC depuis 2009
- Également disponible avec sensibilité VUV
- Grande résistance aux radiations, publié par le PTB
- Version haute température disponible jusqu’à 350°C
- Guide d’application photodiodes
Toutes les photodiodes sont toujours en stock, pas de quantité minimum de commande. Elles sont vendues via notre boutique ou votre commande à welcome@sglux.de. Nous serions également ravis de vous faire une offre, ou vous pouvez utiliser le générateur d’offre automatique de notre boutique (choisissez l’option « OFFRE » au lieu de « CHECKOUT » à la caisse).
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SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- chip 6H SiC à sensibilité UVA étendue
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
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SG01D-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active= 0.50 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-18D
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,50 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 1 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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GaP Photodiode
UV + VIS, surface active = 0.51 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- large bande UVA + VIS, coefficient de température très faible
- surface du détecteur 0.51 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 6.5 nA
- GaP chip
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SG01D-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 52 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active= 1.00 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5 à lentille Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 100 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganiqueDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.00 mm²
- paquet céramique 3535 SMD avec fenêtre inorganique
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01-TANDEM-XL
UV + IR, surface active de la puce UV = 7,60mm², surface active de la puce InGaAs = 7,07mm², structure TO5, pour applications dans le domaine de la surveillance des flammes, d'autres modèles peuvent être fabriqués, par exemple avec une puce SiC plus petite (1,82mm²) pour réduire les coûts ou avec des puces juxtaposées plutôt que superposées. L'avantage de cette disposition est une réduction des coûts. économie de coûts supplémentaire, l'inconvénient étant un effort de focalisation plus important. Le capteur IR peut être équipé de filtres, par exemple pour supprimer le rayonnement visible sur la valeur mesurée.Description du produit- photodiodes à double puce pour la mesure simultanée des UV et des IR
- surface active de la detecteur UV = 7,60mm²
- surface active de la detecteur InGaAs = 7,07mm²
- boîtier TO5 encapsulé hermétiquement avec 4 broches isolées
- possibilité de fabriquer d’autres modèles, par ex. avec une puce SiC plus petite (1,82mm²) pour réduire les coûts
- modèles disponibles avec des puces juxtaposées plutôt que superposées
- possibilité d’équiper le capteur IR de filtres supplémentaires, par ex. pour supprimer le rayonnement visible sur la valeur mesurée
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SG01F-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.82 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.82 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 1 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 1.82 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 1.82 mm²
- spécial pour la détection de flammes
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 1 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec un contact isolé et un contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 122 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 122 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01Q-5
UVA+UVB+UVC, quadrant photodiode, surface active = 4 x 1.4 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC) quadrant photodiode
- surface du détecteur 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
- conçu pour les applications d’ajustement du faisceau laser UV, autocollimateurs et d’autres applications de détection de position de faisceau d’UV
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 22 nA / pixel
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XXL-8ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 36.00 mm², structure TO8 courte, isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 36.00 mm²
- structure plateTO8 encapsulée hermétiquement deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 576 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)