UVB+UVC
Sensibilité spectrale de 231 à 309 nm, longueur d’onde du pic 280 nm, différentes structures,
classés (dans l’ordre croissant) par surface active
9 résultats affichés
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SG01S-BC18
UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18Description du produit- UVB+UVB
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-BC18
UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3330 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-BC5
UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3330 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-BC18
UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-BC18ISO90
UVB+UVC, surface active = 0.50 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-B5
UVB, surface active = 0.50 mm², structure TO5Description du produit- UVB
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 310 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 1 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-BC18
UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 17 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-BC5
UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 17 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 122 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
