SiC UV-Photodioden
Photodiodes UV
- Surface active de 0.06 mm² à 36 mm² et quadrant photodiodes pour la détermination de position
- Sensibilité à large bande UV ou avec filtre optionel pour les UVA, UVB, UVC ou indice UV
- Différentes fenêtres d’entrée et structures (TO ou SMD)
- Notre propre production de chips SiC depuis 2009
- Également disponible avec sensibilité VUV
- Grande résistance aux radiations, publié par le PTB
- Version haute température disponible jusqu’à 350°C
- Guide d’application photodiodes
Toutes les photodiodes sont toujours en stock, pas de quantité minimum de commande. Elles sont vendues via notre boutique ou votre commande à welcome@sglux.de. Nous serions également ravis de vous faire une offre, ou vous pouvez utiliser le générateur d’offre automatique de notre boutique (choisissez l’option « OFFRE » au lieu de « CHECKOUT » à la caisse).
Affichage de 31–60 sur 83 résultats
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SG01L-BC18
UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO18Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 17 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-BC5
UVB+UVC, surface active = 1.00 mm², structure TO5Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 17 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, surface active = 7.60 mm², structure TO5Description du produit- UVB+UVC
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 122 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-A18
UVA, surface active = 0.06 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 273 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-A5
UVA, surface active = 0.06 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 273 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-A18
UVA, surface active = 0.20 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 910 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-A5
UVA, surface active = 0.20 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 910 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A18
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.27 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A18ISO90
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A5
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-A18
UVA, surface active = 1.00 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 4.6 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-A5
UVA, surface active = 1.00 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 4.6 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-A5
UVA, surface active = 7.60 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 34 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO18 isoléeDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-18D
UVA+UVB+UVC, surface active = 0,06 mm², avec un diffuseur, structure TO18Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- utilisez un diffuseur pour créer une réponse Lambertienne à travers l’ouverture
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 123 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.06 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 960 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG03R05-18
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 0.5 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 µA
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SG03R05-5
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 0.5 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 8 µA
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SG03R10-5
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 1.0 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 1.0 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
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SG03R20-5
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 2.0 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 2.0 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 32 nA
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SG03R80-5
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 8.0 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 8.0 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 1 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 13 nA
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SG03R01-5
UVA+UVB+UVC+VUV, surface active = 0.1 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- surface du détecteur 0.1 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 1600 nA
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SG01M-18
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-18S
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 courte Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO18 isolée Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC, 6H SiC chip, surface active = 0.20 mm², structure TO18 Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- chip 6H SiC pour une sensibilité UVA accrue
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 290 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
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SG01M-5
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 courteDescription du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure plate TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé, avec un angle d’ouverture additionel
- une irradiation de 10 mW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 3200 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-5Lens
UVA+UVB+UVC, surface active = 0.20 mm², structure TO5 à lentille, selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)Description du produit- large bande UV (UVA+UVB+UVC)
- surface du détecteur 0.20 mm²
- selon la norme EN298 (détection de flammes, également brûleurs H2)
- grande structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- avec lentille de concentration
- une irradiation de 10 µW/cm² à 280 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 16 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
