UV is our Business

SiC UV-Photodioden

Fotodiodos UV

Área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
Sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
Variedad de ópticas y encapsulados (TO o SMD)
Producción propia del chip SiC desde 2009
También disponible con sensibilidad VUV
Medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
Versión de alta temperatura disponible hasta 350°C
Guía de aplicación de Fotodiodos UV SiC

Todos los fotodiodos están siempre en stock, sin cantidad mínima de pedido. Se venden a través de nuestra tienda o mediante su pedido a welcome@sglux.de. También nos complacerá hacerle una oferta, o puede utilizar el generador automático de ofertas de nuestra tienda (elija la opción «OFERTA» en lugar de «PAGAR» al finalizar la compra).

Mostrando 61–83 de 83 resultados

SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
SG01D-18
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01D-18S
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01D-18D
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 59,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
Fotodiodo GaP
UV + VIS, área activa = 0.51 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoPrecio unitario: 60,00€Descripción del producto
- Banda ancha UVA + VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Área detectora 0.51 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
- GaP Chip
SG01D-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01D-5Lens
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 69,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- Con lente concentradora
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 52 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-18
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 107,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-18S
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 111,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-5Lens
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 con lentePrecio unitario: 125,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama)
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- Con lente concentradora
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 100 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánicaPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.00 mm²
- Paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánica
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01-TANDEM-XL
UV + IR, área activa chip UV = 7,60mm², área activa chip InGaAs = 7,07mm², encapsulado TO5, para aplicaciones de control de llama, Se pueden fabricar otros modelos, por ejemplo, con un chip de SiC más pequeño (1,82mm²) para ahorrar costes o con chips dispuestos uno al lado del otro en lugar de uno encima del otro. La ventaja de esta disposición es un mayor ahorro de costes, la desventaja es un mayor esfuerzo de enfoque. El sensor IR puede equiparse con filtros, por ejemplo para suprimir la radiación visible en el valor medido.Precio unitario: 520€Descripción del producto
- Fotodiodos de doble chip para medición simultánea de UV e IR
- Área activa del chip UV = 7,60 mm²
- Área activa del chip InGaAs = 7,07 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente con 4 pines aislados
- Se pueden fabricar otros modelos, por ejemplo, con un chip de SiC más pequeño (1,82 mm²) para ahorrar costes.
- Modelos disponibles con chips dispuestos uno al lado del otro en lugar de uno encima del otro
- Posibilidad de equipar el sensor IR con filtros adicionales, por ejemplo, para suprimir la radiación visible en el valor medido.
SG01F-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.82 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 1.82 mm²
- Adecuado para aplicaciones de detección de llama
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01XL-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 406,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 406,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01Q-5
UVA+UVB+UVC, fotodiodo de cuadrante, área activa = 4 x 1.4 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 582,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC) fotodiodo de cuadrante
- Área detectora 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, cátodo común
- Diseñado para aplicaciones de ajuste rayo láser UV, autocolimadores y otras aplicaciones de detección de posición del haz UV
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 22 nA / pixel
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
SG01XXL-8ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 36.00 mm², encapsulado TO8 corto, aisladoPrecio unitario: 3600,00€Descripción del producto
- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 36.00 mm²
- Encapsulado metálico corto TO8 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 576 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación

Con gusto le asesoramos sobre este producto

Romana Sonnenberg
Dipl.-Ing.

+49 (0) 30 53015211

Tilman Weiss
Dr.-Ing.

+49 (0) 30 53015211

Fotodiodos UV FAQ

Why are there photodiodes with different chip active areas?

Summary:
Decreasing irradiance requires increasing chip active area. If the irradiance to be measured is unknown, an L-chip photodiode should be used for prototypes.
Detailed answer:
The active area of the chip determines how many photons can be collected by a photodetector. Semiconductor detectors, such as SiC UV photodiodes, convert photons into an electrical current, the photocurrent I. This photocurrent increases linearly with the irradiance and the active area of the chip. Since the price of the detector increases with the active area, the choice of area is essentially a compromise between cost and photocurrent. If you know the minimum and maximum irradiance you wish to measure with the UV photodiode, the following simplified formula gives a rough estimate of the photocurrent I for a given chip active area AChip. I=Achip *Eλ *1000 where I is the photocurrent in nA, A is the active chip area in mm² (enter values of 0.06 or 0.2 or 0.5 or 1 or 1.82 or 7.6 or 36) and Eλ is the spectral irradiance of the UV light source you like to measure in mW/cm². The minimum current (photodiode output at the lowest irradiance to be measured) should not be less than 500pA. If you do not know Eλ, the L-chip (1.00mm²) type photodiode should be used for a first evaluation step.

When do I need a broadband photodiode and when do I need filtered photodiodes for UVA, UVB, UVC or UV index?

Summary:
For UV measurement, unfiltered broadband SiC is used by default
Detailed answer:
By default, unfiltered broadband SiC is used for UV measurements. If a UV source also emits radiation that must not contribute to the sensor’s signal (e.g. UV medium pressure lamps used for water or air purification that also emit non-germicidal UV radiation), a filtered SiC detector (UVC, UVB+C or UVA only) should be selected.

Which photodiode do I use for 185nm and 172nm?

Summary:
Our SiC-VUV photodiodes are used here.
Detailed answer:
Our standard SiC photodiodes only have a low sensitivity below 220nm. Below approx. 200nm they have they no longer have any sensitivity. For applications where radiation below 220nm needs to be measured, our VUV (“vaccum UV”) photodiodes are used. Typical applications are the destruction (cracking) of organic carbons in fat or in water (TOC) at 185nm or the matting of paints at 172nm. VUV photodiodes are also used to monitor PFAS photolysis.

Do you produce SMD type photodiodes?

Summary:
Yes, but we do not recommend their use.
Detailed answer:
Yes, we manufacture 3535 SMD type photodiodes (ceramic package), but we recommend the use of metal TO photodiodes. The packaging and hermetic sealing of photodiode chips in metal TO housings with a fused glass window is a mature and extremely reliable process that has been in use for more than 50 years. A TO-packaged sglux SiC UV photodiode is usually the most reliable and durable component in a product, even when exposed to very high UV radiation or operated at high temperature levels. However, recent progress in the development of long life UV LEDs, also in the UVC range, allow UV low pressure tubes to be replaced by these LEDs, resulting in a significant potential reduction in product dimensions. The miniaturization of products such as UV transmittance measurement modules or point-of-use LED UVC disinfection modules allows our customers to move into new areas of application. Sometimes our TO-packaged UV photodiodes are considered too bulky. Our SiC SMD photodiode range is designed for these applications. The package consists of a ceramic body with a mineral window glass to make these SMD photodiodes as reliable as possible. However, TO type photodiodes remain the best choice in terms of durability, reliability and price.

You produce photodiodes with 2 pins and with 3 pins. What is the third pin good for?

Summary:
By default, 2-pin photodiodes are used.
Detailed answer:
By default, 2-pin photodiodes are used. One pin is connected to the metal body of the photodiode and to the anode. The other pin is isolated and connected to the cathode. A 3-pin photodiode is characterized by two isolated pins (connected to the anode and cathode) and one pin connected to the metal case. The 3-pin photodiode is used if the photodiode package is in contact with metal components of the customer's product.

What is the response time of a SiC photodiode?

Summary:
The response time is about 190ps (FWHM).
Detailed answer:
At the Helmholtz-Zentrum Berlin, investigations were carried out on pulse excitation with 266 nm fs laser pulses. The response time of the measured SiC photodiodes is determined by a decay constant of 7 ns at 0 V BIAS voltage. At a maximum BIAS voltage of -160 V, this converges in an exponential relationship towards 3.5 ns. The rise time could not be measured precisely with the available setup, but is faster than 80 ps (sigma), i.e. approx. 190 ps (FWHM).

What about the saturation of the photodiodes?

Summary:
An S-chip type photodiode saturates at around 4.2 kW/cm². Such a high irradiance is very unusual.
Detailed answer:
The saturation current Isat of a photodiode is determined by its open circuit voltage VOC and its series resistance RS according to the formula: Isat = VOC / RS A typical value (SiC photodiode) for VOC is 2.0 V and for RS = 5 Ohm. This gives Isat = 2.0 V / 5 Ohm = 0.4 A = 400 mA. The saturation radiant intensity z is calculated using the formula below: z = Isat / (S * A) Where S is the sensitivity of a photodiode and A is the active area. A typical value for S is 0.16 A/W and A = 0.06 mm² (valid for SG01S). This gives: zsat = 0.4 A / (0.160 A/W * 6 * 10-8 m²) = approx. 42 MW/m² = 4.2 kW/cm². Such a high irradiance is very unusual. However, some laser measurement applications can reach such irradiance levels for short periods of time. This may affect the output current of the photodiode. Please contact us for further information.

Is the photodiode waterproof?

Summary:
Yes.
Detailed answer:
Yes, the photodiode is hermetically sealed and, accordingly, water pressure proof. However, the rear side contact pins must not get in contact with water our moisture. This will influence the photodiode’s output current.

VOLTCON

Accesorio para fotodiodos UV, conversor/transmisor, conversión de la fotocorriente en una señal de la salida de 0 a 5 V, circuito impreso, disponible con caja, fuente de alimentación y calibraciónTransmisor, conversión de la fotocorriente en una señal de la salida de 0 a 5 VPrecio unitario: 59€Descripción del producto
- Transmisor, conversión de la fotocorriente en una señal de la salida de 0 a 5 V
- Fotocorriente máxima: 500 µA, 5 µA, 50 nA o 500 pA
- También disponible con caja, fuente de alimentación y calibración.
AMPCON

Accesorio para fotodiodos UV, conversor/transmisor, amplificador de corriente, circuito impresoTransmisor (amplificador de corriente) con corriente de salida de 4 a 20 mAPrecio unitario: 59€Descripción del producto
- transmisor (amplificador de corriente) con corriente de salida de 4 a 20 mA
- para incluir fotodiodos en un bus de datos industrial de 4 a 20 mA
- fotocorriente máxima: 250 µA, 2,5 µA o 25 nA
Multiboard

Accesorio para fotodiodos UV, amplificador, circuito impreso (TW-MF2CAB)Amplificador universal de dos canalesPrecio unitario: 99€Descripción del producto
- amplificador universal de dos canales (TW-MF2CAB)
- extensas posibilidades de configuración
- amplificación de corrientes desde 4 pA a 400 µA
Digiboard

Accesorio para fotodiodos UV, amplificador para mediciones, circuito impresoAmplificador universal de corriente/tensión de dos canalesPrecio unitario: 149€Descripción del producto
- amplificador universal de corriente/tensión de dos canales
- con una salida analógica y una salida de frecuencia
SGCD4

El SGCD4 es un digitalizador de fotocorriente con ganancia conmutable que convierte pequeñas corrientes DC (por ejemplo, generadas por fotodiodos) en valores digitales, transmitidos vía USB a un computador para su visualización y grabación. En el software, el usuario puede seleccionar cuatro rangos de medición de corriente diferentes. El dispositivo se entrega con una calibración actual trazable PTB.digitalizador de fotocorriente con ganancia conmutable que convierte pequeñas corrientes DC en valores digitales, cuatro rangos de medición de corriente diferentesPrecio unitario: 520€Descripción del producto
- Digitalizador de fotocorriente con ganancia conmutable, que convierte pequeñas corrientes DC (por ejemplo, generadas por fotodiodos) en valores digitales, transmitidos vía USB a un computador para su visualización y grabación.
- Cuatro niveles de ganancia conmutables.
- Sin necesidad de tener conocimiento previo en metrología.
- El dispositivo se entrega con una calibración actual trazable PTB.
- Cable de bajo ruidodisponible a pedido.
Mounted Photodiode

Fotodiodo en carcasa con conexión BNCFotodiodo en carcasa con conexión BNCPrecio unitario: 130€Descripción del producto
- Fotodiodo en carcasa M12x1 con conexión BNC
- Adecuado para todos los fotodiodos UV sglux
- Está disponible opcionalmente una placa de montaje para bancos ópticos.
- Está disponible opcionalmente una resistencia de derivación integrada, valor de resistencia según las especificaciones del cliente.
RADIKON-simple

caja amplificadora, controlador de mediciones, accesorio sondas de medición UV Cure-HTAmplificador externo para convertir la fotocorrientePrecio unitario: 155,00€Descripción del producto
- Amplificador externo para convertir la fotocorriente de los fotodiodos y del sensor sglux UV-Cure-HT
- Salida de señal 0 – 5 V, 4 – 20 mA o USB
- El refuerzo se configura específicamente para el cliente.
- El módulo también está disponible con calibración.
- Carcasa robusta y blindada con entrada BNC
SENSOR MONITOR 5.0

Accesorio para fotodiodos UV y para sondas de medición UV, Módulo monitor, Display, Controlador y Medidor de radiaciónMódulo de medición y control para la observación y automatización de procesos de irradiaciónPrecio unitario: 490,00€Descripción del producto
- Módulo de medición y control para la observación y automatización de procesos de irradiación
- Visualización de estado e información de radiación y dosis
- Tres relés programables para la automatización de procesos de irradiación de una y/o varias etapas
- Opcional con dos entradas de medición y salida USB/RS232
Photodiode Amplifier Dual

Accesorio para fotodiodos UV, amplificador de fotocorrienteAmplificador de fotocorriente de dos canalesPrecio unitario: 420€Descripción del producto
- amplificador de fotocorriente de dos canales
- conversión de fotocorriente a una tensión de salida 0 – 5 V
- fotocorriente máxima: 100 pA … 40 µA
- adecuado para sistemas experimentales en laboratorios de medición
Photodiode Amplifier Connect

Accesorio para fotodiodos UV, amplificador de fotocorrienteAmplificador de fotocorriente con relay de salida integradoPrecio unitario: 450€Descripción del producto
- amplificador de fotocorriente con relay de salida integrado
- conversión de fotocorriente a una tensión de salida 0 – 5 V
- fotocorriente máxima: 100 pA … 40 µA
- adecuado para instalaciones experimentales en laboratorios de medición