• Área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
• Sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
• Variedad de ópticas y encapsulados (TO o SMD)
• Producción propia del chip SiC desde 2009
• También disponible con sensibilidad VUV
• Medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
• Versión de alta temperatura disponible hasta 350°C
• Guía de aplicación de Fotodiodos UV SiC

Todos los fotodiodos están siempre en stock, sin cantidad mínima de pedido. Se venden a través de nuestra tienda o mediante su pedido a welcome@sglux.de. También nos complacerá hacerle una oferta, o puede utilizar el generador automático de ofertas de nuestra tienda (elija la opción «OFERTA» en lugar de «PAGAR» al finalizar la compra).

Mostrando 61–83 de 83 resultados

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  SG01M6H-5

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
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  SG01D-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 59,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  Fotodiodo GaP

  UV + VIS, área activa = 0.51 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoPrecio unitario: 60,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UVA + VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
  • Área detectora 0.51 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 6.5 nA
  • GaP Chip
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  SG01D-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 69,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 52 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 111,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 113,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5 con lentePrecio unitario: 125,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 100 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-SMD

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánicaPrecio unitario: 107,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Paquete de cerámica 3535 SMD con ventana inorgánica
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01-TANDEM-XL

  UV + IR, área activa chip UV = 7,60mm², área activa chip InGaAs = 7,07mm², encapsulado TO5, para aplicaciones de control de llama, posibilidad de personalización (filtros adicionales, otros chips, otras áreas activas)Precio unitario: 520€Descripción del producto
  • Fotodiodos de doble chip para medición simultánea de UV e IR
  • Área activa del chip UV = 7,60 mm²
  • Área activa del chip InGaAs = 7,07 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente con 4 pines aislados
  • Posibilidad de personalización (filtros adicionales, otros chips, otras áreas activas)n
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  SG01F-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.82 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01F-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 1.82 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 134,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 1.82 mm²
  • Adecuado para aplicaciones de detección de llama
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 406,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-5ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5 corto, aisladoPrecio unitario: 406,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01Q-5

  UVA+UVB+UVC, fotodiodo de cuadrante, área activa = 4 x 1.4 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 582,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC) fotodiodo de cuadrante
  • Área detectora 4 x 1.4 mm², 32 µm pitch
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, cátodo común
  • Diseñado para aplicaciones de ajuste rayo láser UV, autocolimadores y otras aplicaciones de detección de posición del haz UV
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 22 nA / pixel
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XXL-8ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 36.00 mm², encapsulado TO8 corto, aisladoPrecio unitario: 3600,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 36.00 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO8 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 576 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación