• Área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
• Sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
• Variedad de ópticas y encapsulados (TO o SMD)
• Producción propia del chip SiC desde 2009
• También disponible con sensibilidad VUV
• Medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
• Versión de alta temperatura disponible hasta 350°C
• Guía de aplicación de Fotodiodos UV SiC

Todos los fotodiodos están siempre en stock, sin cantidad mínima de pedido. Se venden a través de nuestra tienda o mediante su pedido a welcome@sglux.de. También nos complacerá hacerle una oferta, o puede utilizar el generador automático de ofertas de nuestra tienda (elija la opción «OFERTA» en lugar de «PAGAR» al finalizar la compra).

Mostrando 31–60 de 83 resultados

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  SG01L-BC18

  UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 135,00€Descripción del producto
  • UVB+UVC
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-BC5

  UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 135,00€Descripción del producto
  • UVB+UVC
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-BC5

  UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 430,00€Descripción del producto
  • UVB+UVC
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico TO05 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-A18

  UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-A5

  UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-A18

  UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 75,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-A5

  UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 79,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-A18

  UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 75,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.27 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-A18ISO90

  UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 81,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01D-A5

  UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 79,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 0.50 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-A18

  UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 135,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01L-A5

  UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 135,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 1.00 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01XL-A5

  UVA, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Precio unitario: 430,00€Descripción del producto
  • UVA
  • Área detectora 7.60 mm²
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 34 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 Precio unitario: 27,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 31,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 33,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-18D

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Precio unitario: 42,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 123 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01S-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 31,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.06 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG03R05-18

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 75.00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 0.5 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 µA
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  SG03R05-5

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 75,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 0.5 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 µA
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  SG03R10-5

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 1.0 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 131,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 1.0 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
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  SG03R20-5

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 2.0 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 154,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 2.0 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 32 nA
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  SG03R80-5

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 8.0 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 426,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 8.0 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
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  SG03R01-5

  UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.1 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
  • Área detectora 0.1 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1600 nA
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  SG01M-18

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18S

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18 cortoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-18ISO90

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18, aisladoPrecio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M6H-18

  UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Precio unitario: 51,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
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  SG01M-5

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoPrecio unitario: 55,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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  SG01M-5Lens

  UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Precio unitario: 69,00€Descripción del producto
  • Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
  • Área detectora 0.20 mm²
  • De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
  • Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
  • Con lente concentradora
  • 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
  • Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación