SiC UV-Photodioden
Fotodiodos UV
- Área activa desde 0.06 mm² hasta 36 mm² y fotodiodos de cuadrante para la determinación de posición
- Sensibilidad UV de banda ancha o filtrada para respuesta espectral UVA, UVB, UVC o Índice UV
- Variedad de ópticas y encapsulados (TO o SMD)
- Producción propia del chip SiC desde 2009
- También disponible con sensibilidad VUV
- Medición de la resistencia a la alta radiación de los chips SiC, publicado por el PTB (Equivalencia alemana al NIST o NPL)
- Versión de alta temperatura disponible hasta 350°C
- Guía de aplicación de Fotodiodos UV SiC
Todos los fotodiodos están siempre en stock, sin cantidad mínima de pedido. Se venden a través de nuestra tienda o mediante su pedido a welcome@sglux.de. También nos complacerá hacerle una oferta, o puede utilizar el generador automático de ofertas de nuestra tienda (elija la opción «OFERTA» en lugar de «PAGAR» al finalizar la compra).
También le ofrecemos la posibilidad de encontrar fotodiodos directamente para su aplicación mediante un buscador de productos con filtro de parámetros.
Mostrando 31–60 de 84 resultados
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SG01L-BC18
UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-BC5
UVB+UVC, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 17 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01XL-BC5
UVB+UVC, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVB+UVC
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO05 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 122 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-A18
UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-A5
UVA, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 273 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-A18
UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-A5
UVA, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 910 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A18
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.27 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A18ISO90
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01D-A5
UVA, área activa = 0.50 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 0.50 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 2.3 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-A18
UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- UVA
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01L-A5
UVA, área activa = 1.00 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 1.00 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 4.6 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01XL-A5
UVA, área activa = 7.60 mm², encapsulado TO5Descripción del producto- UVA
- Área detectora 7.60 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 331 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 34 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-18
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-18S
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-18D
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², con un difusor, encapsulado TO18 Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.06 mm²
- Usa un difusor para crear una respuesta de Lambert a través de la abertura
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 123 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01S-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.06 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.06 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 960 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG03R05-18
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 µA
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SG03R05-5
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 8 µA
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SG03R10-5
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 1.0 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 1.0 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
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SG03R20-5
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 2.0 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 2.0 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 32 nA
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SG03R80-5
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 8.0 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 8.0 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 1 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 13 nA
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SG03R01-5
UVA+UVB+UVC+VUV, área activa = 0.1 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC+VUV)
- Área detectora 0.1 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 1600 nA
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SG01M-18
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-18S
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico corto TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18, aisladoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 2 pines aislados y 1 pin adicional a masa
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC, chip 6H SiC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO18Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Chip 6H SiC con sensibilidad UVA expandida
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico TO18 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 290 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
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SG01M-5
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 cortoDescripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.20 mm²
- Encapsulado metálico corto TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 mW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 3200 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación
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SG01M-5Lens
UVA+UVB+UVC, área activa = 0.20 mm², encapsulado TO5 con lente, según norma EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)Descripción del producto- Banda ancha UV (UVA+UVB+UVC)
- Área detectora 0.20 mm²
- De acuerdo con el estándar EN298 (detección de llama, también quemadores de H2)
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- Con lente concentradora
- 10 µW/cm² irradiación a 280 nm (sensibilidad pico) resultando en una corriente aprox. de 16 nA
- Chip SiC con informe del PTB de la máxima resistencia a la alta radiación




























