Fosfato de indio y galio (InGaP) y Fosfuro de galio
Fotodiodos InGaP para mediciones UV o UV+VIS, ensibilidad espectral desde 240 nm hasta 670 nm (según el modelo), sustitutos de los fotodiodos GaP EPIGAP EPD 440 y EPD 365, así como del fotodiodo GaP (con chip EPIGAP).
Mostrando los 6 resultados
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Fotodiodo GaP
UV+VIS, área activa = 0.51 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- Banda ancha UVA + VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Área detectora 0.51 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 1 pin aislado y 1 pin al encapsulado
- 10 µW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 12.5 nA
- GaP Chip
- Disponibilidad limitada
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SG04-INGAP-365-0.5
UV+VIS, sustituto del EPIGAP EPD 365, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- UV+VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Sustituto del EPIGAP EPD 365
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 6.3 µA
- InGaP Chip
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SG04-INGAP-440-0.5
UV+VIS, sustituto del EPIGAP EPD 440, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- UV+VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Sustituto del EPIGAP EPD 440
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 8.8 µA
- InGaP Chip
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SG04-INGAP-550-0.5
UV+VIS, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- UV+VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 12.5 µA
- InGaP Chip
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SG04-INGAP-640-0.5
VIS, área activa = 0.5 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Área detectora 0.5 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 7.6 µA
- InGaP Chip
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SG04-INGAP-640-5.9
VIS, área activa = 5.9 mm², encapsulado TO5, coeficiente de temperatura muy bajoDescripción del producto- VIS, coeficiente de temperatura muy bajo
- Área detectora 5.9 mm²
- Encapsulado metálico TO5 sellado herméticamente, 2 pines aislados y adicionalmente 1 pin masa
- 10 mW/cm² irradiación a sensibilidad pico resultando en una corriente aprox. de 90 µA
- InGaP Chip
