Indiumgalliumphosphid (InGaP) und Galliumphosphid (GaP)
InGaP-Photodioden für UV oder UV+VIS – Messungen, Wellenlängenbereich 240nm – 670 nm (je nach Ausführung), Ersatz für GaP-Photodiode EPIGAP EPD 440 und EPD 365 sowie GaP-Photodiode (mit EPIGAP-Chip)
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GaP-Photodiode
UV+VIS, aktive Fläche 0,51mm², TO5 Gehäuse, gute Eignung für Messungen im Grenzbereich zwischen UVA und VIS, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- Breitband-UVA + VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- 0,51 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 1 isoliertem Pin und 1 Gehäusepin
- 10 µW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 12,5 nA
- Galliumphosphid Chip (GaP)
- begrenzte Verfügbarkeit
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SG04-INGAP-365-0.5
UV+VIS, Ersatz für EPIGAP EPD 365, aktive Fläche 0,5mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- UV+VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- Ersatz für EPIGAP EPD 365
- 0,5 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 6,3 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
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SG04-INGAP-440-0.5
UV+VIS, Ersatz für EPIGAP EPD 440, aktive Fläche 0,5mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- UV+VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- Ersatz für EPIGAP EPD 440
- 0,5 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 8,8 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
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SG04-INGAP-550-0.5
für UV+VIS, aktive Fläche 0,5mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- UV+VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- 0,5 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 12,5 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
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SG04-INGAP-640-0.5
für VIS, aktive Fläche 0,5mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- 0,5 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 7,6 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
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SG04-INGAP-640-5.9
für VIS, aktive Fläche 5,9mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- 5,9 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 90 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
