UVA
Sensibilité spectrale de 309 à 367 nm, longueur d’onde du pic 331 nm,
différentes structures, classés (dans l’ordre croissant) par surface active
10 résultats affichés
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SG01S-A18
UVA, surface active = 0.06 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 273 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01S-A5
UVA, surface active = 0.06 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.06 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 273 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-A18
UVA, surface active = 0.20 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 910 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01M-A5
UVA, surface active = 0.20 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.20 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 mW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 910 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A18
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.27 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A18ISO90
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO18, isoléeDescription du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 2 contacts isolés et un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01D-A5
UVA, surface active = 0.50 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 0.50 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 2.3 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-A18
UVA, surface active = 1.00 mm², structure TO18Description du produit- UVA
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO18 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 4.6 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01L-A5
UVA, surface active = 1.00 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 1.00 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 4.6 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
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SG01XL-A5
UVA, surface active = 7.60 mm², structure TO5Description du produit- UVA
- surface du détecteur 7.60 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à 331 nm (sensibilité du pic) produit un courant d’environ 34 nA
- chip de photodiode UV SiC à grande résistance aux radiations (déterminé par le PTB)
