Phosphure d'indium et de gallium (InGaP) et Phosphure de gallium (GaP)
Photodiodes InGaP pour mesures UV ou UV+VIS, sensibilité spectrale de 240 nm à 670 nm (selon le modèle), en remplacement des photodiodes GaP EPIGAP EPD 440 et EPD 365 ainsi que des photodiodes GaP (avec puce EPIGAP).
6 résultats affichés
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GaP Photodiode
UV+VIS, surface active = 0.51 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- large bande UVA + VIS, coefficient de température très faible
- surface du détecteur 0.51 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement avec 1 contact isolé et 1 contact encapsulé
- une irradiation de 10 µW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 12.5 nA
- GaP chip
- disponibilité limitée
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SG04-INGAP-365-0.5
UV+VIS, remplacement de l'EPIGAP EPD 365, surface active = 0.5 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- UV+VIS, coefficient de température très faible
- remplacement de l’EPIGAP EPD 365
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 6.3 µA
- InGaP chip
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SG04-INGAP-440-0.5
UV+VIS, remplacement de l'EPIGAP EPD 440, surface active = 0.5 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- UV+VIS, coefficient de température très faible
- remplacement de l’EPIGAP EPD 440
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 8.8 µA
- InGaP chip
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SG04-INGAP-550-0.5
UV+VIS, surface active = 0.5 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- UV+VIS, coefficient de température très faible
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 12.5 µA
- InGaP chip
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SG04-INGAP-640-0.5
VIS, surface active = 0.5 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- VIS, coefficient de température très faible
- surface du détecteur 0.5 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 7.6 µA
- InGaP chip
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SG04-INGAP-640-5.9
VIS, surface active = 5.9 mm², structure TO5, coefficient de température très faibleDescription du produit- VIS, coefficient de température très faible
- surface du détecteur 5.9 mm²
- structure TO5 encapsulée hermétiquement, deux contacts isolés, un contact supplémentaire à la masse
- une irradiation de 10 mW/cm² à sensibilité du pic produit un courant d’environ 90µA
- InGaP chip
