sglux – house of photodiodes – von 120nm bis 1700nm
Kundenspezifische Spezialaufbauten vom Vakuum-UV bis Infrarot
sglux hat sich als weltweit bekannte Marke für SiC-Fotodioden und -Sensoren etabliert. Auf diesem Wege hat sich sglux auf die Entwicklung kundenspezifischer Fotodioden spezialisiert und ist damit zu einem Anbieter geworden, bei dem Sie Lösungen für Ihre Messaufgaben im Wellenlängenbereich von Vakuum-UV bis Infrarotstrahlung finden. Die Sensoren können mit einem oder mehreren unterschiedlichen Chips, Filtern und Optiken, wie z.B. SiO2 Diffusoren oder MgF-basierten-VUV transparenten Fenstern ausstattet werden.
Unser Angebot
• Anwendungsspezifischer Aufbau von Detektoren oder Baugruppen auf Basis von SiC, GaP, InGaP, InGaAs, Si, Ge oder jedem anderen für die Anwendung geeignetem Material
• Verwendung von im Markt verfügbaren optischen Filtern, Diffusoren und Linsen sowie Eigenentwicklung, wenn diese nicht im Markt verfügbar sind.
• Integration von Temperatursensoren
• Schaltungsentwicklung zur Aufbereitung der Photoströme (oft nur wenige nA) in übliche Prozess-Größen, wie 0-5V, 4-20mA oder digital, für den Einsatz in Photodiodengehäusen (sglux TOCONs) oder außerhalb
• Aufbau- und Verbindungstechnik
• Entwicklung spezieller Gehäuse
Unsere Stärken
• Wir haben Freude uns der Umsetzung spezieller Konzepte und über 20 Jahre Erfahrung im Aufbau komplexer Detektoren mit oder ohne Verstärker, mit oder ohne Filtern, mit einem oder mehreren verschiedenen Chips, grundsätzlich mit der höchsten möglichen Präzision und Langzeitstabilität.
• Eigene Produktion von SiC-Photodiodenchips in drei Varianten: Standard, VUV und APD sowie Produktion von InGaP-Photodiodenchips.
• Weitreichende Erfahrung im Umgang mit anderen, zugekauften Chips, wie GaP, InGaAs, Si, Ge.
• Sehr leistungsstarkes Kalibrierlabor mit erstklassiger Ausrüstung, ständiger Austausch mit der PTB, regelmäßige „round robins“ mit anderen führenden Anbietern in Deutschland zur Qualitätssicherung, Mitarbeit in verschiedenen Normungsgremien.
TANDEM / 2COLOR / DUO Photodiodes – TWO Photodiodes in ONE Housing



Die Emission einer Gas- oder Ölflamme hat Anteile im UV- und im IR-Bereich, im Bild blau und rot gekennzeichnet. Mit einem Aufbau wie dem TANDEM-UV-IR können beide Anteile mit einer TO-Photodiode unabhängig voneinander gemessen und elektronisch verarbeitet werden. Dieser Aufbau kommt üblicherweise in Überwachungseinheit gemäß SIL3-Level zum Einsatz.
Wir freuen uns auf Ihre speziellen Ausstattungs-Wünsche.

PHOTODIODEN MIT INTEGRIERTEM BANDPASSFILTER – Beispiel 222nm + UV-C Bandpass Photodiode


Das Spektrum dieser Lichtbogenemission wird von der Emissionslinie von Kupfer zwischen 220 und 225nm sowie 323 und 329nm dominiert. Da die Messung auch bei Vorhandensein von Sonnenlicht möglich sein muss, kann die Line zwischen 323 und 329 nm nicht zur Messung herangezogen werden. Der Sensor muss vollständig blind für Tageslicht sein. Unsere Lösung besteht aus einem 222nm Bandpass-Filter mit kurzer Halbwertsbreite (10nm) um den Lichtbogen zuverlässig, auch bei Sonnenlicht gemäß EN 50317 erfassen zu können.
Alle 3 Ergebnisse werden angezeigt
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SG04-INGAP-640-5.9
für VIS, aktive Fläche 5,9mm², TO5 Gehäuse, sehr geringer TemperaturkoeffizientProduktbeschreibung- VIS, sehr geringer Temperaturkoeffizient
- 5,9 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- 10 mW/cm² Bestrahlung bei Peak-Empfindlichkeit erzeugt einen Strom von ca. 90 µA
- Indiumgalliumphosphid (InGaP)
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SG01-TANDEM-XL
UV + IR, aktive Fläche UV-Chip = 7,60mm², aktive Fläche InGaAs-Chip = 7,07mm², TO5 Kappe, für Anwendungen im Bereich der Flammenüberwachung, weitere Modelle herstellbar, z.B. mit kleinerem SiC-Chip (1,82mm²) zur Kostenersparnis oder mit nebeneinander statt übereinander angeordneten Chips. Der Vorteil dieser Anordnung besteht in einer weiteren Kostenersparnis, der Nachteil besteht in einem erhöhten Fokussierungsaufwand. Der IR-Sensor kann mit Filtern ausgestattet werden, z.B. zur Unterdrückung sichtbarer Strahlung auf den Messwert.Produktbeschreibung- Doppelchip-Photodioden für gleichzeitige Messung von UV und IR
- aktive Fläche UV-Chip = 7,60mm²
- aktive Fläche InGaAs-Chip = 7,07mm²
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt mit 4 isolierten Pins
- weitere Modelle herstellbar, z.B. mit kleinerem SiC-Chip (1,82mm²) zur Kostenersparnis
- Modelle mit nebeneinander statt übereinander angeordneten Chips erhältlich
- Möglichkeit der Ausstattung des IR-Sensors mit zusätzlichen Filtern, z.B. zur Unterdrückung sichtbarer Strahlung auf dem Messwert
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SG02-APD-D5
UV-Avalanche-Photodiode (SiC), maximale Verstärkung 105Produktbeschreibung- SiC basierte Avalanche Photodiode (APD)
- UV-Breitband (UVA+UVB+UVC), SiC UV-Photodioden-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (durch PTB festgestellt)
- 0,20 mm² Detektorfläche
- TO5-Gehäuse hermetisch gekapselt, zwei isolierte Pins, ein zusätzlicher Massepin
- maximale Verstärkung 105


